Вышедшие номера
Образование и стабилизация F-центров после прямого создания автолокализованных экситонов в кристаллах KCl
Кудрявцева И.А.1, Васильченко Е.А.1, Лущик А.Ч.1, Лущик Ч.Б.1
1Институт физики Тартуского университета, EE Тарту, Эстония
Email: luch@fi.tartu.ee
Поступила в редакцию: 21 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.

Для кристаллов KCl высокой чистоты при 230 K измерен спектр создания фотонами 7-10.2 eV люминесцирующих F-центров. Изучен их импульсный отжиг (250-550 K), а также зависимость эффективности создания стабильных F-центров от температуры облучения (80-500 K). Эффективности создания F- и Cl-3-центров максимальны при прямом оптическом создании автолокализованных экситонов в области урбаховского хваста собственного поглощения. Кроме распада экситонов с рождением F-центров и подвижных H-центров, обнаружены проявления высокотемпературного канала распада экситонов с рождением катионных дефектов, стабилизирующих H-центры.