Вышедшие номера
Эпитаксиальная комбинация NdBa2Cu3O7-delta/SrTiO3: особенности роста, структура и параметры
Бойков Ю.А.1, Данилов В.А.1, Клаесон Т.2, Эртс Д.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Чалмерский технический университет, Гетеборг, Швеция
3Институт химической физики, Университет Латвии, Рига, Латвия
Поступила в редакцию: 6 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.

Исследованы особенности роста, структура и параметры эпитаксиальных гетероструктур (001)NdBa2Cu3O7-delta/(100)SrTiO3/(001)NdBa2Cu3O7-delta, выращенных методом лазерного испарения на подложке (100)LaAlO3 с тонкой (~ 2 nm) прослойкой YBa2Cu3O7-delta. Использование прослойки YBa2Cu3O7-delta способствует послойному росту пленки (200 nm)NdBa2Cu3O7-delta, шероховатость свободной поверхности которой составляет 4-5 nm. Резкое падение сопротивления пленок NdBa2Cu3O7-delta начиналось при T=92 K, а при T~ 87 K оно обращалось в нуль. Плотность критического тока в пленках NdBa2Cu3O7-delta при T=76 K превышала 106 A/cm2. Диэлектрическая проницаемость слоя (400 nm)SrTiO3, введенного между эпитаксиальными пленками NdBa2Cu3O7-delta, возрастала примерно в 3 раза при понижении температуры в интервале 300-4.2 K. При подаче на электроды NdBa2Cu3O7-delta напряжения смещения ±2.5 V относительная диэлектрическая проницаемость промежуточного слоя (400 nm)SrTiO3 понижалась от 1150 до 400 (T=32 K, f=100 kHz). Проводимость промежуточного слоя SrTiO3 в направлении, перпендикулярном плоскости подложки, возрастала с температурой и напряженностью электрического поля.
  1. I.S. Gergis, J.T. Cheung, T.H. Trinh, E.A. Sovero, P.H. Kobrin. Appl. Phys. Lett. 60, 2026 (1992)
  2. J.P. Hong, J.S. Lee. Appl. Phys. Lett. 68, 3034 (1996)
  3. F.W. Nan Keuls, R.R. Romanofsky, D.Y. Bohman, M.D. Winters, F.A. Miranda, C.H. Mueller, R.E. Treece, T.V. Rivkin, D. Galt. Appl. Phys. Lett. 71, 3075 (1997)
  4. C.M. Jackson, J.H. Kobayashi, A. Lee, C. Pettiette-Hall, J.F. Burch, R. Hu. Microwave Opt. Technol. Lett. 5, 722 (1992)
  5. O.G. Vendik, L.T. Ter-Martirosyan, A.I. Deduk, S.F. Karmanenko, R.A. Chakalov. Ferroelectrics 144, 33 (1993)
  6. Yu.A. Boikov, Z.G. Ivanov, A.N. Kiselev, E. Olsson, T. Claeson. J. Appl. Phys. 78, 4591 (1995)
  7. Yu.A. Boikov, Z.G. Ivanov, A.L. Vasiliev, I. Pronin, E. Olsson, T. Claeson. Appl. Phys. Lett. 67, 2708 (1995)
  8. J.G. Lin, C.Y. Huang, Y.Y. Xue, C.W. Chu, X.W. Cao, J.C. Ho. Phys. Rev. B51, 12 900 (1995)
  9. M. Badaye, J.G. Wen, K. Fukushima, N. Koshizuka, T. Morishita, T. Nishimura, Y. Kido. Supercond. Sci. Technol. 10, 825 (1997)
  10. L.A. Tietz, C.B. Carter, D.K. Lathrop, S.E. Russek, R.A. Buhrman, J.R. Michael. J. Mater. Res. 4, 1072 (1989)
  11. F.W. Lytle. J. Appl. Phys. 35, 2212 (1964)
  12. Yu.A. Boikov, V.A. Danilov, E. Carlsson, D. Erts, T. Claeson. Physica B, in press
  13. T. Shimizu, H. Nonaka, K. Arai. Appl. Phys. Lett. 59, 600 (1991)
  14. Handbook of Chemistry and Physics / Ed. R.C. Weast. 59th edition. CRC Press Inc. (1978--1979). P. E-81. Florida (1979)
  15. Ю.А. Бойков, З.Г. Иванов, Е. Олсон, В.А. Данилов, Т. Клаесон, М. Щеглов, Д. Эртс. ФТТ 37, 3, 880 (1995)
  16. A.L. Vasiliev, G. Van Tendeloo, A. Amelincks, Yu.A. Boikov, E. Olsson, Z. Ivanov. Physica C244, 373 (1991)
  17. M. Badaye, F. Wang, Y. Kanke, K. Fukushima, T. Morishita. Appl. Phys. Lett. 66, 2131 (1995)
  18. Yu.A. Boikov, T. Claeson. J. Appl. Phys. 81, 3232 (1997)
  19. J.M. Worlock, P.A. Fleury. Phys. Rev. Lett. 19, 1176 (1967)
  20. G. Rupprecht, R.O. Bell, B.D. Silverman. Phys. Rev. 123, 97 (1961)
  21. J.R. Yeargan, H.L. Taylor. J. Appl. Phys. 39, 5600 (1968)
  22. Yu.A. Boikov, T. Claeson. Supercond. Sci. Technol., in press

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.