Вышедшие номера
Структурное совершенство эпитаксиальных слоев GaN по данным рентгеновской дифракции
Кютт Р.Н.1, Ратников В.В.1, Мосина Г.Н.1, Щеглов М.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 июня 1998 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.

Методами двух- и трехкристальной дифрактометрии исследовано структурное совершенство эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках сапфира, GaAs и SiC. Показано, что дифракционные распределения вокруг узлов обратной решетки вытянуты в направлении, параллельном поверхности, что связано с анизотропией локальных полей деформации в слоях. Проведен детальный анализ уширений для нескольких порядков отражений, измеренных в трех геометриях: симметричной брэгговской, симметричной Лауэ и скользящей дифракции. Получены значения пяти независимых компонент тензора микродисторсии delta eij, а также средних размеров областей когерентного рассеяния в двух направлениях tauz и taux. Показано, что для большинства образцов компоненты, вызывающие уширение рефлексов в направлении вдоль поверхности, заметно больше, т. е. delta exx>delta ezz и delta ezx>delta exz, а также tauz>taux. Все компоненты тензора связываются с тем или иным типом дислокаций. Электронная микроскопия исследованных образцов выявила присутствие большой плотности чисто краевых и чисто винтовых дислокаций, прорастающих нормально к гетерогранице, которые и дают соответственно основной вклад в exx и ezx.