Вышедшие номера
Структурные исследования тонких слоев кремния, многократно имплантированных ионами углерода
Нусупов К.Х.1, Бейсенханов Н.Б.1, Валитова И.В.1, Дмитриева Е.А.1, Жумагалиулы Д.1, Шиленко Е.А.1
1Физико-технический институт Министерства образования и науки Казахстана, Алма-Aта, Казахстан
Email: beisen@sci.kz
Поступила в редакцию: 27 июня 2005 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2006 г.

Методами электронной микроскопии, рентгеновской дифракции, Оже-электронной и ИК-спектроскопии исследуются состав и структура однородных слоев SiC1.4 и SiC0.12, полученных многократной имплантацией в кремний ионов углерода с энергиями 40, 20, 10, 5 и 3 keV. На основе температурных зависимостей (200-1400oC) параметров пика ИК-пропускания показано, что рост количества атомов углерода, находящихся в связанном состоянии с атомами кремния и участвующих в поглощении, обусловлен процессами формирования и распада гексагональных, близких к тетраэдрической и кратных связей Si-C, а также распада прочных оптически неактивных углеродных кластеров. Высокая температура кристаллизации SiC (1200oC) в слое SiC1.4 объясняется наличием стабильных кратных связей Si-C и прочных кластеров углерода. Показано наличие прочных углеродных кластеров в имплантированном слое SiC0.12 и влияние их распада на формирование тетраэдрических связей при температурах 1200-1400oC. PACS: 68.35.Nq, 61.72.Tt