Вышедшие номера
Электрические токи, обусловленные волнами пространственного заряда в высокоомных полупроводниках
Брыксин В.В.1, Петров М.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vvb@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 9 сентября 2005 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2006 г.

Теоретически рассмотрены токи в высокоомных полупроводниках, обусловленные выпрямлением волн пространственного заряда. Наибольшее внимание уделено ситуации, когда низка эффективная концентрация ловушек. Показано, что при этом инверсный закон дисперсии волн перезарядки ловушек изменяется на линейный, а дрейфовые волны перестают существовать. В кристаллах с биполярной проводимостью возникают две моды волн перезарядки ловушек с линейным законом дисперсии. Полученные соотношения для постоянного и переменного токов описывают неизвестные ранее зависимости токов от концентрации ловушек, подвижности и времени жизни носителей, волнового числа волн пространственного заряда и величины приложенного электрического поля. Работа была выполнена в рамках программы Президиума РАН П-28. PACS: 72.10.-d, 73.50.-h, 71.45.Lr