Оже-спектроскопия и свойства наноразмерных тонкопленочных структур Ir(Pt)/PZT(PZT/PT)/Ir
Афанасьев В.П.1, Афанасьев П.В.1, Грехов И.В.2, Делимова Л.А.2, Ким С.-П.3, Коо Ю.-М.3, Машовец Д.В.2, Панкрашкин А.В.1, Парк Я.3, Петров А.А.1, Шин С.3
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт передовых технологий Самсунга, Суон 440-600, Корея
Email: VPAfanasiev@eltech.ru
Выставление онлайн: 20 мая 2006 г.
Изучение профилей распределения элементов по толщине тонкопленочных сегнетоэлектрических конденсаторных структур методом электронной Оже-спектроскопии позволило установить связь между элементным и фазовым составом структур и их электрофизическими свойствами. Выявлены особенности поведения подслоя титаната свинца сразу после изготовления и после старения структур. Показано, что в процессе старения изменение характеристик конденсаторных структур связано с диффузией элементов на интерфейсах и в пленке PZT на фоне значительного увеличения концентрации кислорода, в результате чего формируются оксидные слои, модифицирующие границы раздела, уменьшается плотность ловушек на верхнем и нижнем интерфейсах для всех образцов. Работа выполнена при финансовой поддержке Института передовых технологий Самсунга и Федерального агенства по образованию РФ в рамках программы "Развитие научного потенциала высшей школы" 2005 года (проект N 75122). PACS: 85.50.-n, 82.80.Pv
- J.F. Scott, C.A. Paz de Araujo. Science 246, 1400 (1989)
- J.F. Scott. Ferroelectrics Rev. 1, 1, 1 (1998)
- J.K. Lee, J.-M. Ku, C.-R. Cho, Y.K. Lee, S. Shin, Y. Park. J. Semicond. Technol. Sci. 2, 3, 205 (2002)
- V.P. Afanasjev, A.A. Petrov, I.P. Pronin, E.A. Tarakanov, E.Ju. Kaptelov, J. Graul. J. Phys.: Cond. Matter 13, 39, 8755 (2001)
- А.Н. Павлов, И.П. Раевский, В.П. Сахненко. ФТТ 45, 10, 1875 (2003)
- A.K. Tagantsev, I.A. Stolichov, E.L. Colla, N. Setter. J. Appl. Phys. 90, 3, 1387 (2001)
- K.-W. Lee, W.-J. Lee. Jpn. H. Appl. Phys. 41, Pt 1, 11B, 6718 (2002)
- L. Delimova, I. Grekhov, D. Mashovets, S. Tyaginov, S. Shin, J.-M. Koo, S.-P. Kim, Y. Park. Appl. Phys. Lett. 87, 192 101 (2005); Л. Делимова, И. Грехов, Д. Машовец, С. Шин, Ю.-М. Коо, С.-П. Ким, Я. Парк. ФТТ 48, 6, 0000 (2006)
- В.П. Афанасьев, С.В. Богачев, Н.В. Зайцева, Е.Ю. Каптелов, Г.П. Крамар, А.А. Петров, И.П. Пронин. ЖТФ 66, 6, 160 (1996)
- J.-G. Yoon, B.S. Kang, J.D. Kim, T.W. Noh, T.K. Song, Y.K. Lee, J.K. Lee. Integrated Ferroelectrics 53, 401 (2003)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.