Релаксация доменной структуры примесных кристаллов триглицинсульфата под действием внутреннего поля
Никишина А.И.1, Дрождин С.Н.1, Голицына О.М.1
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Выставление онлайн: 20 мая 2006 г.
Исследована релаксация структуры сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата (ТГС), неравновесное состояние которой создавалось быстрым охлаждением через точку фазового перехода, полевым и термическим воздействием. Выявлена роль внутреннего поля в процессах релаксации доменной структуры к равновесному состоянию в дефектных кристаллах ТГС. Работа выполнена при поддержке фонда CRDF (грант VZ-010). PACS: 77.80.Dy, 77.84.Fa, 77.80.Bh
- Б.А. Даринский, А.П. Лазарев, А.С. Сигов. ЖЭТФ 114, 6 ( 12), 2238 (1998)
- А.М. Саввинов, Н.Д. Гаврилова, В.К. Новик. Изв. АН СССР. Сер. физ. 34, 12, 2601 (1970)
- V. Likodimos, M. Labardi, M. Allegrini. Phys. Rev. B 66, 024 104 (2002)
- С.Н. Дрождин, А.И. Никишина, О.М. Голицына. Полиматериалы-2003. М. (2003). Ч. 2. С. 88--90
- L.N. Kamysheva, S.N. Drozhdin, O.M. Serdyuk. Phys. Stat. Sol. (a) 97, K29 (1986)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
