Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Эффективные диэлектрические и пьезоэлектрические константы поликристаллических сегнетоэлектрических тонких пленок
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Institut fur Werkstoffe der Elektrotechnik, RWTH Aachen, Aachen, Germany
3Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Institut fur Werkstoffe der Elektrotechnik, RWTH Aachen, Aachen, Germany
3Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: pertsev@domain.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 3 июня 1998 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1998 г.
Усредненные диэлектрические, пьезоэлектрические и упругие константы поликристаллических тонких пленок титаната бария и титаната свинца теоретически рассчитываются с помощью модернизированного метода эффективной среды, в полной мере учитывающего пьезоэлектрические взаимодействия между кристаллитами. Рассматриваются пленки с кристаллической текстурой c- или a-типа, порождаемой механическим взаимодействием с подложкой в процессе перехода пленки в сегнетоэлектрическое состояние при охлаждении гетероструктуры. Описываются зависимости эффективных материальных констант текстурированных пленок от величины остаточной макроскопической поляризации пленки. Анализируется влияние двумерного зажатия пленки на толстой подложке на результаты экспериментальных измерений диэлектрических и пьезоэлектрических констант.
- R. Waser. Curr. Opin. Sol. Stat. Mater. Sci. 1, 706 (1996)
- J.F. Scott, C.A. Paz de Arajuo. Science 246, 1400 (1989)
- P. Muralt, M. Kohli, T. Maeder, A. Kholkin, K. Brooks, N. Setter, R. Luthier. Sens. Actuators A48, 157 (1995)
- M. Marutake. J. Phys. Soc. Jap. 11, 8, 807 (1956)
- В.И. Алешин. Кристаллография 32, 2, 422 (1987)
- В.И. Алешин, Э.М. Пикалев. ЖТФ 60, 3, 129 (1990)
- T. Olson, M. Avellaneda. J. Appl. Phys. 71, 9, 4455 (1992)
- M.L. Dunn. J. Appl. Phys. 78, 3, 1533 (1995)
- C.-W. Nan, D.R. Clarke. J. Am. Cer. Soc. 79, 10, 2563 (1996)
- N.A. Pertsev, A.G. Zembilgotov, A.K. Tagantsev. Phys. Rev. Lett. 80, 9, 1988 (1998)
- N.A. Pertsev, A.G. Zembilgotov. J. Appl. Phys. 78, 10, 6170 (1995)
- Н.А. Перцев, А.Ю. Емельянов. ФТТ 39, 1, 127 (1997)
- G. Arlt. J. Mater. Sci. 25, 2655 (1990)
- B. Wang. Int. J. Sol. Struct. 29, 3, 293 (1992)
- Y. Benveniste. J. Appl. Phys. 72, 3, 1086 (1992)
- J.D. Eshelby. In: Progress in Solid Mechanics / Ed. I.N. Sneddon and R. Hill. North-Holland, Amsterdam (1961). V. 2. P. 89
- M.L. Dunn. Int. J. Eng. Sci. 32, 1, 119 (1994)
- J.H. Huang, J.S. Yu. Composit. Eng. 4, 11, 1169 (1994)
- D.M. Bernett, J. Lothe. Phys. Stat. Sol. (b) 67, 105 (1975)
- Е.Г. Фесенко, В.Г. Гавриляченко, А.Ф. Семенчев. Доменная структура многоосных сегнетоэлектрических кристаллов. Ростов н/Д (1990). 192 с
- Дж. Най. Физические свойства кристаллов. М. (1960). 385 с
- J.S. Speck, A. Siefert, W. Pompe, R. Ramesh. J. Appl. Phys. 76, 1, 477 (1994)
- Ф. Иона, Д. Ширане. Сегнетоэлектрические кристаллы. М. (1965). 555 с
- A.L. Roytburd. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 221, 255 (1991)
- W. Pompe, X. Gong, Z. Suo, J.S. Speck. J. Appl. Phys. 74, 10, 6012 (1993)
- А.В. Турик. ФТТ 12, 3, 892 (1970)
- K. Lefki, G.J.M. Dormans. J. Appl. Phys. 76, 3, 1764 (1994)
- A.L. Kholkin, E.L. Colla, A.K. Tagantsev, D.V. Taylor, N. Setter. Appl. Phys. Lett. 68, 18, 2577 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
