Влияние магнитных и электрических полей на состояние точечных дефектов в монокристаллах NaCl
Головин Ю.И.1, Моргунов Р.Б.1, Тютюнник А.В.1, Жуликов С.Е.1, Афонина Н.М.1
1Тамбовский государственный университет, Тамбов, Россия
Поступила в редакцию: 5 мая 1998 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1998 г.
Установлено, что экспозиция кристаллов в импульсном электрическом поле с амплитудой ~103 kV/m создает метастабильные состояния точечных дефектов, а магнитное поле с индукцией 7 T вызывает их релаксацию.
- Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов. Письма в ЖЭТФ 58, 3, 189 (1993)
- Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, С.Е. Жуликов, Д.Ю. Головин. ФТТ 38, 10, 3047 (1996)
- Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, В.Е. Иванов. ФТТ 39, 11, 2016 (1997)
- Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, В.Е. Иванов. Изв. вузов. Физика, 4, 117 (1998)
- R.W. Whitworth. Adv. Phys. 24, 2, 203 (1975)
- В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, Е.Ю. Михина, Е.А. Петржик. ФТТ 38, 8, 2426 (1996)
- V.I. Alshits, E.V. Darinskaya, O.L. Kazakova, E.Yu. Mikhina, E.A. Petrzhik. J. Alloys Compounds 211/212, 548 (1994)
- D.W. Dreyfus, R.B. Laibowitz. Phys. Rev. 115, 5A, 1413 (1964)
- О.К. Царев, А.Н. Нарожный, Л.Б. Зуев, С.А. Дацук. Пробл. прочности 32, 1, 111 (1977)
- Л.Б. Зуев. Физика электропластичности щелочно-галоидных кристаллов. Наука, Новосибирск (1990). 120 с
- J. Frenkel. Phys. Rev. 54, 647 (1938)
- Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, С.Е. Жуликов, В.А. Киперман, Д.В. Лопатин. ФТТ 39, 4, 634 (1997)
- В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, Т.М. Перекалина, А.А. Урусовская. ФТТ 29, 2, 467 (1987)
- Б.А. Зон. Изв. вузов. Физика 33, 11, 131 (1974)
- Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов. Письма в ЖЭТФ 61, 7, 583 (1995)
- А.А. Урусовская, В.И. Альшиц, А.Е. Смирнов, Н.Н. Беккауер. Письма в ЖЭТФ 65, 6, 471 (1997)
- C. Zaldo, J. Garcia Sole, F. Agullo-Lopez. J. Mater. Sci. 17, 1465 (1982)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук