Накопление F- и M-центров окраски в монокристаллах KCl при комбинированном облучении электронами и протонами
Михайлов М.М.1, Ардышев В.М.1
1Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 8 января 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.
Исследована кинетика накопления F- и M-центров окраски в монокристаллах KCl при комбинированном облучении электронами с энергией 15 и 100 keV и протонами с энергией 100 keV в диапазоне потоков 1013-1015 cm-2 при плотности потока 3· 1011 cm-2·s-1. Показано, что последовательное облучение электронами, а затем протонами не аддитивно облучению только электронами и только протонами.
- И.А. Аброян, А.Н. Андронов, А.И. Титов. Физические основы электронной и ионной технологии. Высш. шк. М. (1984). 319 с
- В.Л. Винецкий, Г.А. Холодарь. Радиационная физика полупроводников. Наук. думка, Киев (1979). 332 с
- Л.Г. Косицын, М.М. Михайлов, Н.Я. Кузнецов. ПТЭ, 4, 176 (1985)
- А.А. Воробьев. Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах. Изд-во Том. ун-та, Томск (1968). 387 с
- Van Doorn. Phys. Rev. Lett., 3, 236 (1960)
- В.В. Юдин. К теории пробегов Линдхарда--Шарфа--Шиотта. В кн.: Физические основы ионно-лучевого легирования. Горький (1972). С. 10
- В.В. Юдин. Электрон. техника. Сер. 2: Полупроводниковые приборы, 2(84), 3 (1974)
- В.В. Юдин. Электрон. техника. Сер. 2: Полупроводниковые приборы, 4(177), 15 (1985)
- J.F. Gibbons. IEEE 60, 9, 53 (1972)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
