Вышедшие номера
Резонансные состояния сплошного спектра ограниченного кристалла вблизи критических точек объемных зон
Вольф Г.В.1, Чубурин Ю.П.1
1Физико-технический институт Уральского отделения Российской академии наук, Ижевск, Россия
Email: tv@otf.fti.udmurtia.su
Поступила в редакцию: 2 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.

Получены условия существования резонансных электронных состояний вблизи критических точек объемных зон. Показано, что резонансы данного типа качественно отличаются от поверхностных резонансов, связанных с состояниями, индуцированными потенциалом изображения. Рассмотрено проявление таких "объемных" резонансов в рассеянии очень медленных электронов на поверхности TiS2.