Исследование амплитудно-частотной характеристики фотовольтаического эффекта в тонких пленках YBCO
Грачев А.И.1, Караваев П.М.1, Шульман С.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: grach@shuv.pti.spb.su
Поступила в редакцию: 25 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.
В сверхпроводящих пленках YBCO с различной морфологией впервые измерена в широком диапазоне (1.5 Hz-150 kHz) частотная характеристика фотовольтаической компоненты оптически индуцируемых напряжений. Показано, что обнаруженное в одном из образцов отклонение высокочастотного поведения от обычной релаксационной зависимости может объясняться разбросом параметров элементарных фотоэдс, генерируемых в различных участках пленки. Полученные данные позволили оценить ряд величин, характеризующих фотопроводящие свойства неметаллических областей протяженных неоднородностей, с которыми связывается появление фотовольтаического сигнала.
- А.И. Грачев, И.В. Плешаков, А.П. Паугурт, С.Г. Шульман. ФТТ 38, 10, 2922 (1996)
- A.I. Grachev, I.V. Pleshakov. Solid State Commun. 101, 7, 507 (1996)
- A.I. Grachev, V.Yu. Davydov, P.M. Karavaev, S.F. Karmanenko, A.P. Paugurt, I.V. Pleshakov. Physica C288, 268 (1997)
- A. Kleinhammes, C.L. Chang, W.G. Moulton, L.R. Testardi. Phys. Rev. B43, 6270 (1991)
- T.S. Moss, G.J. Burrell, B. Ellis. Semiconductor Opto-Electronics. Butterworth, London (1973)
- Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник. Радио и связь, М. (1982)
- R. Boyn, K. Lobe, H.U. Habermeier, N. Prub. Physica C181, 1, 75 (1991)
- G. Yu, A.J. Heeger, G. Stucky, N. Herron, E.M. McCarron. Solid State Commun. 72, 4, 345 (1989)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.