Электролюминесценция структур Si--SiO2, последовательно имплантированных кремнием и углеродом
Барабан А.П.1, Петров Ю.В.1
1Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
Email: barabanalex@mail.ru
Поступила в редакцию: 4 июля 2005 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2006 г.
Изучена электролюминесценция (ЭЛ) структур Si-SiO2, подвергнутых последовательной ионной имплантации (ИИ) кремния с энергиями 130 и 60 keV и углерода с энергией 60 keV в окисный слой. Результатом ИИ являлось возникновение полос ЭЛ с максимумами около 2.7 и 4.3 eV, которые связывались с образованием силиленовых центров. Постимплантационный отжиг приводил к уменьшению интенсивности данных полос ЭЛ, а также к появлению плеча с коротковолновой стороны полосы 2.7 eV. PACS: 78.20.Jq, 85.40.Ry, 61.72.Ww
- G. Franzo, A. Irrera, E.C. Moreira, M. Miritelo, F. Iacona, D. Sanfilippo, G. Di Stefano, P.G. Fallica, F. Priolo. Appl. Phys. A 74, 1, 1 (2002)
- B. Garrido, M. Lopez, O. Gonzalez, A. Perez-Rodriguez, J.R. Morante, C. Bonafos. Appl. Phys. Lett. 77, 20, 1 (2000)
- A. Perez-Rodriguez, O. Conzalez-Varona, B. Garrido, P. Pellegrino, J.R. Morante, C. Bonafos, M. Carrada, A. Claverie. J. Appl. Phys. 94, 1, 254 (2003)
- А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев SiO2 на кремнии. Изд-во ЛГУ, Л. (1988). 304 с
- А.П. Барабан, Д.В. Егоров, Ю.В. Петров, Л.В. Милоглядова. Письма в ЖТФ 30, 2, 1 (2004)
- L. Rebohle, J. Von Borany, N. Frob, W. Scorupa. Appl. Phys. B 71, 131 (2000)
- А.П. Барабан, П.П. Коноров, Л.В. Малявка, А.Г. Трошихин. ЖТФ 70, 8, 87 (2000)
- Л.Н. Скуя, А.Н. Стрелецкий, А.Б. Пакович. ФХС 14, 481 (1988)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
