Вышедшие номера
Электролюминесценция структур Si--SiO2, последовательно имплантированных кремнием и углеродом
Барабан А.П.1, Петров Ю.В.1
1Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
Email: barabanalex@mail.ru
Поступила в редакцию: 4 июля 2005 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2006 г.

Изучена электролюминесценция (ЭЛ) структур Si-SiO2, подвергнутых последовательной ионной имплантации (ИИ) кремния с энергиями 130 и 60 keV и углерода с энергией 60 keV в окисный слой. Результатом ИИ являлось возникновение полос ЭЛ с максимумами около 2.7 и 4.3 eV, которые связывались с образованием силиленовых центров. Постимплантационный отжиг приводил к уменьшению интенсивности данных полос ЭЛ, а также к появлению плеча с коротковолновой стороны полосы 2.7 eV. PACS: 78.20.Jq, 85.40.Ry, 61.72.Ww
  1. G. Franzo, A. Irrera, E.C. Moreira, M. Miritelo, F. Iacona, D. Sanfilippo, G. Di Stefano, P.G. Fallica, F. Priolo. Appl. Phys. A 74, 1, 1 (2002)
  2. B. Garrido, M. Lopez, O. Gonzalez, A. Perez-Rodriguez, J.R. Morante, C. Bonafos. Appl. Phys. Lett. 77, 20, 1 (2000)
  3. A. Perez-Rodriguez, O. Conzalez-Varona, B. Garrido, P. Pellegrino, J.R. Morante, C. Bonafos, M. Carrada, A. Claverie. J. Appl. Phys. 94, 1, 254 (2003)
  4. А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев SiO2 на кремнии. Изд-во ЛГУ, Л. (1988). 304 с
  5. А.П. Барабан, Д.В. Егоров, Ю.В. Петров, Л.В. Милоглядова. Письма в ЖТФ 30, 2, 1 (2004)
  6. L. Rebohle, J. Von Borany, N. Frob, W. Scorupa. Appl. Phys. B 71, 131 (2000)
  7. А.П. Барабан, П.П. Коноров, Л.В. Малявка, А.Г. Трошихин. ЖТФ 70, 8, 87 (2000)
  8. Л.Н. Скуя, А.Н. Стрелецкий, А.Б. Пакович. ФХС 14, 481 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.