Вышедшие номера
Стационарная прыжковая фотопроводимость по многозарядным примесным атомам в кристаллах
Поклонский Н.А.1, Лопатин С.Ю.1
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
Email: Poklonski@phys.bsu.unibel.by
Поступила в редакцию: 3 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.

В континуальном приближении дан вывод формулы для прыжкового тока электронов и дырок (электронных вакансий) по примесям одного сорта, находящимся в трех зарядовых состояниях (-1,0,+1). Рассчитаны длина экранирования электростатического поля и длина диффузии носителей заряда. Получена зависимость эффективного времени жизни прыгающих по примесям эылектронов относительно переходов (-1)->(+1) (дырок относительно переходов (+1)->(-1)) от степени компенсации и интенсивности межпримесного фотовозбуждения, стимулирующего образование ионов. Расчеты зависимости прыжковой фотопроводимости от интенсивности фотовозбуждения согласуются с известными экспериментальными данными, не находившими ранее теоретического объяснения.