Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Донорно-акцепторная рекомбинация в GaAs/AlAs-сверхрешетках II типа
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Сибирская государственная геодезическая академия, Новосибирск, Россия
2Сибирская государственная геодезическая академия, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 12 января 1998 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.
Исследована стационарная и нестационарная фотолюминесценция намеренно нелегированных и однородно легированных кремнием (GaAs)7(AlAs)9-сверхрешеток типа II, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии одновременно на подложках GaAs ориентации (311)A и (100). Установлено, что при повышенных температурах (160>T>30 K) в спектрах сверхрешеток доминирует линия, обусловленная донорно-акцепторной рекомбинацией между донорами, расположенными в слоях AlAs, и акцепторами, расположенными в слоях GaAs. Определена суммарная энергия связи носителей заряда на донорах и акцепторах в паре.
- М. Херман. Полупроводниковые сверхрешетки. Мир, М. (1989). 240 с
- K. Ploog, G.H. Dohler. Adv. Phys. 32, 285 (1983)
- А.П. Силин. УФН 147, 3, 485 (1985)
- B.A. Joyce, J.N. Neave, J. Zhang. Semicond. Sci. Tecnol. 5, 1147 (1990)
- D. Scalbert, J. Cernogora, C. Benoit a la Guillaume, M. Maaref, F.F. Charfi, R. Planel. Solid State Commun. 70, 10, 945 (1989)
- I.L. Spain, M.S. Scolnick, G.W. Smith, M.K. Saker, C.R. Whitehouse. Phys. Rev. B43, 17, 14 091 (1991)
- R. Cingolani, L. Baldassare, M. Ferrara, M. Lugara, K. Ploog. Phys. Rev. B40, 9, 6101 (1989)
- R. Cingolani, M. Holtz, R. Muralidharan, K. Ploog, K. Reimann, K. Syassen. Surf. Sci. 228, 217 (1990)
- E. Finkman, M.D. Sturge, M.C. Tamargo. Appl. Phys. Lett. 49, 1299 (1986)
- A. Chiari, M. Colocci, F. Fermi, Li Yuzhang, R. Querzoli, A. Vinattieri, Weihua Zhuang. Phys. Stat. Sol. (b) 147, 421 (1988)
- Г.П. Пека, В.Ф. Коваленко, В.Н. Куценко. Люминесцентные методы контроля параметров полупроводниковых материалов и приборов. Техника, Киев (1986)
- А. Берг, П. Дин. Светодиоды. Мир, М. (1979). 690 с
- Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках. Мир, М. (1973). 458 с.
- P.J. Dean. Progress in Solid State Chemistry. Pergamon Press, N.Y. (1973). V. 8
- D.G. Thomas, J.J. Hopfield, W.M. Augustyniak. Phys. Rev. 140, 1A, A202 (1966)
- E. Zacks, A. Halperin. Phys. Rev. B6, 8, 3072 (1972)
- K.J. Moore, G. Duggan, P. Dawson, C.T. Foxon. Superlat. Microstr. 5, 4, 481 (1989)
- Masaaki Nakayama, Isao Tanaka, Ikuo Kimura, Hitoshi Nishimura. Jpn. J. Appl. Phys. 29, 1, 41 (1990)
- W.T. Masselink, Y.-C. Chang, H. Morkos, D.C. Reynolds, C.W. Litton, K.K. Bajaj, P.W. Yu. Sol. Stat. Electron. 29, 2, 205 (1986)
- G.T. Einevoll, Yia-Chung Chang. Phys. Rev. B41, 3, 1447 (1990)
- Lorenzo Pavesi, Mario Guzzi. J. Appl. Phys. 75, 10, 4779 (1994).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
