Пространственное распределение, накопление и отжиг радиационных дефектов в кремнии, имплантированном высокоэнергетичными ионами криптона и ксенона
Челядинский А.Р.1, Вариченко В.С.1, Зайцев А.М.1
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
Поступила в редакцию: 20 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.
Представлены результаты исследования методом рентгеновской дифракции особенностей дефектообразования в кремнии, облученном ионами Kr+ (210 MeV, 8·1012-3·1014 cm-2) и Xe+ (5.6 GeV, 5·1011-5·1013 cm-2). Установлено, что такое облучение приводит к образованию в объеме кремния дефектной структуры, состоящей из ионных треков, имеющих плотность, меньшую по сравнению с матрицей. Особенности дефектообразования обсуждаются с учетом каналирования части ионов по ранее сформированным трекам и доминирующей роли электронных потерь высокоэнергетичных ионов. Показано, что эффективность введения стабильных дефектов при внедрении высокоэнергетичных ионов ниже, чем при имплантации ионов средних масс с энергией в сотни килоэлектронвольт.
- А.Н. Жевно, В.В. Сидорик, В.Д. Ткачев. ДАН БССР 20, 409 (1976)
- O.J. Araika, A.R. Chelyadinskii, V.A. Dravin, Yu.R. Suprun-Belevich, V.P. Tolstykh. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B73, 503 (1993)
- N.I. Berejnov, V.F. Stelmakh, A.R. Chelyadinskii. Phys. Stat. Sol. (a) 78, K121 (1983)
- W. Jung, G.S. Newell. Phys. Rev. 132, 648 (1963)
- В.А. Ботвин, Ю.В. Горелкинский, В.О. Сигле, М.А. Губисов. ФТП 6, 1683 (1972)
- Y.H. Lee, N.N. Gerasimenko, J.W. Corbett. Phys. Rev. B14, 4506 (1976)
- K.L. Brower. Phys. Rev. B14, 872 (1976)
- M. Jadan, N.I. Berezhnov, A.R. Chelyadinskii. Phys. Stat. Sol. (b) 189, K1 (1995).
- L.J. Cheng, M.L. Swanson. J. Appl. Phys. 41, 2627 (1970)
- V.A. Martinovich, A.R. Chelyadinskii, V.S. Varichenko, N.M. Penina, E.N. Drozdova, A.M. Zaitsev, W.R. Fahrner. Abstracts Conf. of German Phys. Soc. Regensburg, Germany (1996). P. 1547
- V.S. Varichenko, A.M. Zaitsev, N.M. Kazutchits, A.R. Chelyadinskii, N.M. Penina, V.A. Martinovich, Ya.I. Latushko, W.R. Fahrner. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B107, 268 (1996)
- J.F. Gibbons. Proc. IEEE 60, 1062 (1972)
- P. Sigmund. Appl. Phys. Lett. 14, 114 (1969)
- G.D. Watkins. Lattice Defects in Semiconductors. Inst. of Phys., London-Bristol (1975). P. 1.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.