Распределение In и Si в синтетических опалах
Ратников В.В.1, Курдюков Д.А.1, Сорокин Л.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 ноября 1997 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.
На основе измерений фотоэлектрического поглощения рентгеновских лучей образцами синтетических опалов (СО), заполненных In и Si, получены профили распределения заполнителей по толщине. Образец СО + In имел равномерное по толщине заполнение пор СО (в среднем 16.9% каждой из больших пор). В образце СО + Si наряду с приповерхностной областью полного заполнения больших пор присутствует область переменного содержания Si в СО, распределение Si в которой линейно уменьшается вплоть до области чистого СО.
- В.Н. Богомолов, Т.М. Павлова. ФТП 29, 5--6, 826 (1995)
- В.В. Ратников. ФТТ 39, 5, 956 (1997)
- Л.М. Сорокин, В.В. Ратников. Сб. тез. Нац. конф. по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (Москва--Дубна, 25--29 мая 1997). Изд-во ТОО "АФТ", М. (1997). С. 44
- А. Гинье. Рентгенография кристаллов. ГИФМЛ, М. (1961). 604 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
