Рассмотрена область существования кристаллического порядка в системе пространственно разделенных электронов (e) и дырок (h) в двух связанных квантовых ямах при различных концентрациях n, температурах T и расстояниях D между слоями. Исследована также кристаллизация в системе электронов в полупроводниковых структурах вблизи металлического электрода при различных расстояниях d от полупроводника до металла. Для расчета кристаллической фазы использован вариационный расчет энергии основного состояния системы с учетом спаривания квазичастиц с ненулевым импульсом. Для системы двух связанных квантовых ям определены области в пространстве (T,n,D), где в каждом слое существуют электронные (либо дырочные) волны зарядовой плотности (ВЗП), и области, где указанные ВЗП сфазированы, иными словами, кристаллизуются непрямые экситоны (или пары с пространственно разделенными электронами и дырками), взаимодействующие как электрические диполи. В электронной системе в полупроводниковых структурах вблизи металлического электрода получены также и области существования электронного кристалла в пространстве (T,n,d), в котором на больших расстояниях электроны за счет сил изображения взаимодействуют как электрические диполи.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.