Термооптическое исследование примесных центров в кристаллах Bi12SiO20, легированных Cu
Панченко Т.В.1
1Днепропетровский государственный университет, Днепропетровск, Украина
Поступила в редакцию: 18 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.
В диапазоне энергий фотона 1.36-3.46 eV в области температур 85-700 K исследованы температурные зависимости оптического поглощения кристаллов BSO : Cu. Они анализируются для энергетической модели частично компенсированного полупроводника p-типа с учетом температурной зависимости концентрации мелких и глубоких ионизированных акцепторов.
- M.A. Powell, R.V. Wridgh. SPIE. Progress in holography 812, 16 (1987)
- Т.В. Панченко, Ю.Г. Осецкий. А.с. N 1673654 б, приор. от 2 февр. 1989 (Бюл. N 32 от 30.08 1991)
- T. Lukasiewich, J. Zmija. Krist. Techn. 15, 3, 267 (1980)
- V. Wolffer, P. Gravey, J.Y. Moisan, C. Laulan, J.C. Launay. Opt. Com. 76, 351 (1989)
- M.T. Borowiec. Physica B132, 223 (1985)
- T.V. Panchenko, Yu.G. Ocetsky, N.A. Truseyeva. Ferroelectrics 174, 61 (1985)
- H. Marquet, A. Ennouri, J.P. Zielinger, M. Tapiero. Topical meetung on photorefractive materials, effects and devices. Kiev, Ukraine (aug. 11--14, 1993). P. 63
- B. Briat. Ibid. P. 415
- Т.В. Панченко, З.З. Янчук. ФТТ 38, 10, 3042 (1996)
- N.V. Kukhtarev, V.D. Markov, S.G. Odoulov, M.C. Soskin, V.L. Vinetski. Ferroelectrics 22, 949 (1979)
- Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников. М. (1977). С. 366
- A.T. Futro. J. Phys. Chem. Sol. 40, 1, 201 (1979)
- R. Obershmid. Phys. Stat. Sol. (a) 89, 263 (1985)
- Т.В. Панченко, В.Х. Костюк, С.Ю. Копылова. ФТТ 38, 1, 155 (1996)
- T. Toyoda, H. Nakanishi, S. Endo, T. Irie. J. Phys. C.: Sol. Stat. Phys. 19, L259 (1986)
- T. Toyoda, S. Maruyama, H. Nakanishi. J. Phys. D.: Appl. Phys. 19, 909 (1986)
- Т.В. Панченко, С.Ю. Копылова, Ю.Г. Осецкий. ФТТ 37, 9, 2578 (1995)
- H. Mahr. Phys. Rev. 125, 1510 (1962)
- W.Wojdowski, T. Lukasiewicz, W. Nazarewicz, Z.Z. Zmija. Phys. Stat. Sol. (b) 94, 2, 649 (1979)
- Е.И. Леонов, А.Е. Семенов, А.Г. Щербаков. ФТТ 28, 5, 1590 (1986)
- В.П. Зенченко, Э.П. Синявский. ФТТ 22, 12, 3703 (1980)
- V.I. Zametin. Phys. Stat. Sol. (b) 124, 625 (1984)
- Я.В. Бурак, А.С. Сай, К.Я. Борман. ФТТ 26, 4, 1256 (1984)
- T. Takamori, D. Just. J. Appl. Phys. 67, 2, 848 (1990)
- Т.В. Панченко, З.З. Янчук. ФТТ 38, 7, 2018 (1996)
- А.Ф. Лубченко. Квантовые переходы в примесных центрах твердых тел. Наук. думка, Киев (1978). 293 с
- А.А. Копылов, А.Н. Пихтин. ФТТ 16, 7, 1837 (1974)
- R.B. Lauer. J. Appl. Phys. 45, 4, 1794 (1974)
- Б. Ридли. Квантовые процессы в полупроводниках. Мир, М. (1986). 304 с
- S.L. Hou, R.B. Lauer, R.E. Aldrich. J. Appl. Phys. 44, 6, 2652 (1973)
- М.Г. Ермаков, А.В. Хомич, П.И. Перов, В.В. Куча. Микроэлектроника 11, 5, 424 (1982)
- В.И. Березкин. ФТТ 25, 2, 490 (1983)
- Т.В. Панченко, Г.В. Снежной. ФТТ 35, 12, 3248 (1993)
- D. Bloom, S.W. McKeever. J. Appl. Phys. 77, 12, 6221 (1995)
- В.О. Барисс, Э.Э. Клотыньш. Определение параметров локального уровня в полупроводниках. Зинатне, Рига. (1978). 192 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
