Вышедшие номера
Термооптическое исследование примесных центров в кристаллах Bi12SiO20, легированных Cu
Панченко Т.В.1
1Днепропетровский государственный университет, Днепропетровск, Украина
Поступила в редакцию: 18 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.

В диапазоне энергий фотона 1.36-3.46 eV в области температур 85-700 K исследованы температурные зависимости оптического поглощения кристаллов BSO : Cu. Они анализируются для энергетической модели частично компенсированного полупроводника p-типа с учетом температурной зависимости концентрации мелких и глубоких ионизированных акцепторов.
  1. M.A. Powell, R.V. Wridgh. SPIE. Progress in holography 812, 16 (1987)
  2. Т.В. Панченко, Ю.Г. Осецкий. А.с. N 1673654 б, приор. от 2 февр. 1989 (Бюл. N 32 от 30.08 1991)
  3. T. Lukasiewich, J. Zmija. Krist. Techn. 15, 3, 267 (1980)
  4. V. Wolffer, P. Gravey, J.Y. Moisan, C. Laulan, J.C. Launay. Opt. Com. 76, 351 (1989)
  5. M.T. Borowiec. Physica B132, 223 (1985)
  6. T.V. Panchenko, Yu.G. Ocetsky, N.A. Truseyeva. Ferroelectrics 174, 61 (1985)
  7. H. Marquet, A. Ennouri, J.P. Zielinger, M. Tapiero. Topical meetung on photorefractive materials, effects and devices. Kiev, Ukraine (aug. 11--14, 1993). P. 63
  8. B. Briat. Ibid. P. 415
  9. Т.В. Панченко, З.З. Янчук. ФТТ 38, 10, 3042 (1996)
  10. N.V. Kukhtarev, V.D. Markov, S.G. Odoulov, M.C. Soskin, V.L. Vinetski. Ferroelectrics 22, 949 (1979)
  11. Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников. М. (1977). С. 366
  12. A.T. Futro. J. Phys. Chem. Sol. 40, 1, 201 (1979)
  13. R. Obershmid. Phys. Stat. Sol. (a) 89, 263 (1985)
  14. Т.В. Панченко, В.Х. Костюк, С.Ю. Копылова. ФТТ 38, 1, 155 (1996)
  15. T. Toyoda, H. Nakanishi, S. Endo, T. Irie. J. Phys. C.: Sol. Stat. Phys. 19, L259 (1986)
  16. T. Toyoda, S. Maruyama, H. Nakanishi. J. Phys. D.: Appl. Phys. 19, 909 (1986)
  17. Т.В. Панченко, С.Ю. Копылова, Ю.Г. Осецкий. ФТТ 37, 9, 2578 (1995)
  18. H. Mahr. Phys. Rev. 125, 1510 (1962)
  19. W.Wojdowski, T. Lukasiewicz, W. Nazarewicz, Z.Z. Zmija. Phys. Stat. Sol. (b) 94, 2, 649 (1979)
  20. Е.И. Леонов, А.Е. Семенов, А.Г. Щербаков. ФТТ 28, 5, 1590 (1986)
  21. В.П. Зенченко, Э.П. Синявский. ФТТ 22, 12, 3703 (1980)
  22. V.I. Zametin. Phys. Stat. Sol. (b) 124, 625 (1984)
  23. Я.В. Бурак, А.С. Сай, К.Я. Борман. ФТТ 26, 4, 1256 (1984)
  24. T. Takamori, D. Just. J. Appl. Phys. 67, 2, 848 (1990)
  25. Т.В. Панченко, З.З. Янчук. ФТТ 38, 7, 2018 (1996)
  26. А.Ф. Лубченко. Квантовые переходы в примесных центрах твердых тел. Наук. думка, Киев (1978). 293 с
  27. А.А. Копылов, А.Н. Пихтин. ФТТ 16, 7, 1837 (1974)
  28. R.B. Lauer. J. Appl. Phys. 45, 4, 1794 (1974)
  29. Б. Ридли. Квантовые процессы в полупроводниках. Мир, М. (1986). 304 с
  30. S.L. Hou, R.B. Lauer, R.E. Aldrich. J. Appl. Phys. 44, 6, 2652 (1973)
  31. М.Г. Ермаков, А.В. Хомич, П.И. Перов, В.В. Куча. Микроэлектроника 11, 5, 424 (1982)
  32. В.И. Березкин. ФТТ 25, 2, 490 (1983)
  33. Т.В. Панченко, Г.В. Снежной. ФТТ 35, 12, 3248 (1993)
  34. D. Bloom, S.W. McKeever. J. Appl. Phys. 77, 12, 6221 (1995)
  35. В.О. Барисс, Э.Э. Клотыньш. Определение параметров локального уровня в полупроводниках. Зинатне, Рига. (1978). 192 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.