Вышедшие номера
Влияние малых добавок Ge на сверхпроводящий переход в PbTe : Tl
Немов С.А.1, Парфеньев Р.В.2, Житинская М.К.1, Шамшур Д.В.2
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 января 1998 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.

В PbTe : 2 at.% Tl исследовано влияние малых добавок германия (порядка сотых-десятых долей at.%) на параметры сверхпроводящего перехода l(критическую температуру Tc, второе критическое магнитное поле Hc2 и l|(dHc2)/(dT)r|T-> Tcr), определенные из зависимости электросопротивления образцов от температуры (0.4-4.2 K) и напряженности магнитного поля (0-1.3 T). Обнаруженная особенность в экспериментальных данных связывается с появлением структурного фазового перехода при введении Ge.
  1. G. Bauer. Lect. Not. Phys. 117, 259 (1983)
  2. D.K. Hohnke, H. Holloway, S. Kaiser. J. Phys. Chem. Sol. 33, 2053 (1972)
  3. И.А. Черник, С.Н. Лыков. Письма в ЖТФ 7, 94 (1981)
  4. В.И. Кайданов, С.А. Немов, Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур. Письма в ЖЭТФ 35, 517 (1982)
  5. И.А. Черник, С.Н. Лыков, Н.И. Гречко. ФТТ 24, 10, 2931 (1982)
  6. Н.А. Ерасова, С.Н. Лыков, И.А. Черник. ФТТ 25, 1, 269 (1983)
  7. М.К. Житинская, В.И. Кайданов, С.А. Немов, Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур. ФТТ 31, 4, 268 (1989)
  8. В.И. Кайданов, С.А. Немов, Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур. ФТТ 29, 6, 1886 (1987)
  9. H. Murakami, W. Hattori, Y. Mizomata, R. Aoki. Proc. 21 Int. Conf. on Low Temperature Physics. Prague, Czech Republic (1996). Pt S2. P. 765

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.