Для широкозонных полупроводников, таких как GaN, рассчитаны спин-орбитальное расщепление, константы деформационного потенциала и величина g-фактора основного состояния акцепторного центра, описываемого суперпозицией кулоновского потенциала и потенциала центральной ячейки. Получены аналитические выражения для этих параметров в модели потенциала нулевого радиуса, зависящие только от соотношения масс легкой и тяжелой дырок. Показано, что отличия в значениях этих параметров для предельных случаев чисто кулоновского потенциала и потенциала нулевого радиуса не превосходят 7%, что позволяет использовать для оценок простые аналитические формулы. Для основного состояния акцепторного центра в гексагональной модификации GaN теоретический расчет приводит к резкой анизотропии g-фактора, в то время как результаты экспериментальных измерений дают практически изотропное значение g, близкое к величине g фактора свободного электрона. Это противоречие снимается, если в окрестности акцепторного центра возникает перпендикулярная оси C₆ кристалла спонтанная деформация, обусловленная эффектом Яна-Теллера.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.