Влияние образования горячих экситонов на квантовую эффективность коротковолнового фотоэлектропреобразования в полупроводниках AIIIBV
Гольдберг Ю.А.1, Константинов О.В.1, Оболенский О.И.1, Поссе Е.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.
Рассмотрен новый экситонный механизм уменьшения квантовой эффективности процесса фотоэлектропреобразования в поверхностно-барьерных структурах. Этот механизм заключается в образовании горячих экситонов, обладающих большой энергией ионизации и не подверженных влиянию барьерного электрического поля. На основе предложенной ранее модели флюктуационных ловушек из экспериментальных данных выделена в явном виде и проанализирована спектральная зависимость потерь горячих фотоносителей. Эта зависимость имеет два участка резкого роста, которые обусловлены формированием экситонов в L- и X-долинах полупроводника.
- Photodiodes. Hamamatsu Photonics K.K. Catalog (1996). P. 34
- Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП 25, 11, 1922 (1991)
- Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, О.И. Оболенский, Е.А. Поссе, Б.В. Царенков. ФТП 31, 5, 563 (1997)
- Т.А. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, О.И. Оболенский, Е.А. Поссе. ФТП, 31, 10, 1225 (1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
