Рассмотрен новый экситонный механизм уменьшения квантовой эффективности процесса фотоэлектропреобразования в поверхностно-барьерных структурах. Этот механизм заключается в образовании горячих экситонов, обладающих большой энергией ионизации и не подверженных влиянию барьерного электрического поля. На основе предложенной ранее модели флюктуационных ловушек из экспериментальных данных выделена в явном виде и проанализирована спектральная зависимость потерь горячих фотоносителей. Эта зависимость имеет два участка резкого роста, которые обусловлены формированием экситонов в L- и X-долинах полупроводника.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.