Экситонные восприимчивости полупроводников при высоких уровнях лазерного возбуждения
Хаджи П.И.1, Ткаченко Д.В.1
1Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко, Тирасполь, Молдова
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.
Исследовано гистерезисное поведение действительной и мнимой частей восприимчивости полупроводника в экситонной области спектра при учете экситон-фононного и упругого экситон-экситонного взаимодействий в режиме pump-probe в зависимости от интенсивности и частоты сильного лазерного импульса и частоты зондирующего импульса. Определены условия возникновения эффекта подавления затухания и усиления зондирующего импульса. Предсказаны скачкообразные красный и фиолетовый сдвиги спектрального положения полосы экситонного поглощения в зависимости от интенсивности импульса накачки.
- А.А. Гоголин, Э.И. Рашба. Письма в ЖЭТФ 17, 690 (1973)
- П.И. Хаджи. Кинетика рекомбинационного излучения экситонов и биэкситонов в полупроводниках. Штиинца, Кишинев (1977)ю
- J.M. Hvam, C. Dornfeld, H. Schwab. Phys. Stat. Sol. (b) 150, 387 (1988)
- Vu Duy Phach, A. Bivas, B. Honerlage, J.B. Grun. Phys. Stat. Sol. (b) 84, 731 (1977)
- R. Levy, B. Honerlage, J.B. Grun. Phys. Stat. Sol. (b) 150, 825 (1988)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
