Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.
Экситоны в многодолинных полупроводниках образуют экситонные молекулы, состоящие из 4-х и более экситонов. Фактор вырождения g зоны проводимости в германии равен 8, а в кремнии g=12. Как в случае акцепторов, так и в случае экситонов основное состояние дырок четырехкратно вырождено. Это же справедливо и для экситонных молекул, поскольку они являются квантовыми объектами, имеющими сферическую симметрию. Энергия связи экситона в молекулах близка к энергии связи экситонов в каплях экситонной жидкости. Рассмотрены экспериментальные доказательства того, что кроме биэкситонов существуют стабильные экситонные молекулы, содержащие 3 и 4 экситона и 11 и 12 экситонов. Молекулы, содержащие от 5 до 10 экситонов, по-видимому, не являются стабильными.
- С.А. Москаленко. Опт. и спектр. 5, 147 (1958)
- M.A. Lampert. Phys. Rev. Lett. 1, 450 (1958)
- Л.В. Келдыш, Ю.В. Копаев. ФТТ 6, 9, 2791 (1964)
- Л.В. Келдыш, А.Н. Козлов. ЖЭТФ 54, 978 (1968)
- Л.В. Келдыш В сб.: Проблемы теоретической физики. Памяти И.Е. Тамма. (1972). С. 433.
- A.A. Rogachev. Prog. Quant. Electron. 6, 3 (1980)
- A.A. Rogachev. Handbook on Semiconductors / Ed. P.T. Landsberg. Elsevier Science Publishers B.V. (1992). V. 1. P. 449.
- В.С. Багаев, Т.И. Галкина, О.В. Гоголин, Л.В. Келдыш. Письма в ЖЭТФ 10, 309 (1969)
- M.L.W. Thewalt, V.A. Karasyuk, D.A. Harrison, D.A. Huber. Proc. 23rd Int. Conf. Physics of Semiconductors. World Scientific (1996). V. 1. P. 341
- П.Д. Алтухов, К.Н. Ельцов, Г.Е. Пикус, А.А. Рогачев. ФТТ 22, 1, 239 (1980)
- A.A. Rogachev. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" St.Petersburg, Russia (23--27 June. 1997) p. 126
- A.A. Rogachev. Proc. 23rd Int. Conf. Physics of Semiconductors. World Scientific (1996). V. 1. P. 173
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.