Вышедшие номера
Диффузия экситонов в твердых растворах CdS--Se и ZnSe--Te при высоких уровнях возбуждения
Клочихин А.А.1, Пермогоров С.А.2, Резницкий А.Н.2, Breitkopf T.3, Westphaling R.3, Klingshirn C.3
1Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Institut fur Angewandte Physik, Universitat Karlsruhe, Karlsruhe, Deutchland
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.

Показано, что при сильном импульсном возбуждении интенсивность полосы рекомбинации экситонов флуктуационного хвоста плотности состояний в пределе больших времен в присутствии ловушек описывается асимптотикой решения уравнения диффузии. Критический индекс диффузии соответствует "нормальному" характеру процесса в твердом растворе CdS-Se и "аномальной" диффузии в случае ZnSe-Te.