Экситоны в предионизационном электрическом поле барьера Шоттки
Новиков А.Б.1, Новиков Б.В.1, Роппишер Г.1, Селькин А.В.1, Штайн Н.1, Юферев Р.Б.1, Бумай Ю.А.1
1Научно-исследовательский институт физики при Санкт-Петербургском государственном университете, Петродворец, Россия
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.
Исследованы низкотемпературные (T=80 K) спектры экситонного отражения света кристаллов CdS в электрическом поле барьера Шоттки. Зарегистрировано аномальное штарковское смещение водородоподобного экситонного состояния в предынизационном пределе. Из анализа спектров, выполненного в рамках теории нелокального диэлектрического отклика в пространственно неоднородной среде, установлен характер распределения подбарьерного электрического поля.
- А.Г. Аронов, А.С. Иоселевич. В сб.: Экситоны / Под ред. Э.И. Рашба и М.Д. Стерджа. Наука М. (1985). С. 193
- R.J. Damburg, V.V. Kolosov. J. Phys. B9, 3358 (1976)
- А.В. Селькин. Вестн. СПбГУ. Сер. 4, 2( 11), 87 (1996)
- В.А. Киселев, Б.В. Новиков, А.Е. Чередниченко. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников. Изд-во ЛГУ, Л. (1987)
- D.E. Aspnes. In: Handbook on Semiconductors / Ed. T.S. Moss. North-Holland, N. Y. (1980). V. 2. P. 109
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
