Влияние разориентации подложки на распределение квантовых точек по размерам в системе InAs/GaAs
Васильев Д.Г.1, Евтихиев В.П.1, Токранов В.Е.1, Кудряшов И.В.1, Кочерешко В.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.
Исследованы эффекты влияния разориентации подложки (001) GaAs в направлении [010] на распределение квантовых точек InAs/GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием эффектов самоорганизации, по размерам и положению в матрице GaAs. Обнаружено температурное сужение линии экситонной фотолюминесценции массива квантовых точек, вызванное перераспределением фотовозбужденных носителей между точками разного размера.
- D. Leonard. K. Pond, P.M. Petroff. Phys. Rev. B50, 11 687 (1994)
- J.-Y. Marzin, J.-M. Gerard, A. Izrael, D. Barrier, G. Bastard. Phys. Rev. Lett. 73, 716 (1994)
- A.B. Komissarov, V.P. Evtikhiev, A.K. Kryganovskii, A.N. Titkov, M. Ichida, A. Nakamura. Proc. 23rd Int. Conf. Compound Semiconductors (st. Petersburg, 1996). Inst. Phys. Conf. Ser. / Ed. M. Shur, R. Suris. (1996). N 155. Ch. 3. P. 351--354
- A. Patane, M. Grassi Alessi, F. Intonti, A. Polimeni, M. Capizzi, F. Martelli, M. Geddo, A. Bosacchi, S. Franchi. Proc OECS-5 / Ed. R.G. Ulbrich. Goettingen (1997)
- А.В. Евтихиев, В.Е. Токранов, А.К. Крыжановский, А.М. Бойко, Р.А. Сурис, А.Н. Титков, А. Накамура, М. Ичида. ФТП, 5, (1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.