Вышедшие номера
Исследование резонансного туннелирования экситонов в сверхрешетках GaAs/AlAs в электрическом поле методом рамановской спектроскопии
Сапега В.Ф.1, Руф Т.2, Кардона М.2, Гран Х.Т.3, Плоог К.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт исследований твердого тела им. Макса Планка, Штутгарт, Германия
3Институт электроники твердого тела им. Пауля Друде, Германия
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.

Методом резонансного рамановского рассеяния света на акустических фононах изучено влияние электрического поля на состояния экситонов в сверхрешетке GaAs/AlAs. При совпадении энергии возбуждающего фотона с энергией экситона, связанного с состояниями Ванье-Штарка тяжелой дырки и электрона с Delta n=0,±1 обнаружено резонансное усиление рамановского рассеяния света на акустических фононах. Осцилляции интенсивности рамановского спектра в электрическом поле объясняются резонансной делокализацией основного состояния экситона при взаимодействии с состояниями Ванье-Штарка соседних квантовых ям или с состояниями Ванье-Штарка вышележащей электронной минизоны.