Агеев Д.А.1, Алесковский В.Б.2, Бисенгалиев Р.А.3, Губайдуллин В.И.1, Дрозд В.Е.2, Новиков Б.В.3, Савченко А.П.1
1ТОО НПКФ "Свет", Санкт-Петербург, Россия
2Научно-исследовательский институт химии при Санкт-Петербургском государственном университете, Петродворец, Россия
3Научно-исследовательский институт физики при Санкт-Петербургском государственном университете, Петродворец, Россия
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.
Методом молекулярного наслаивания (МН) приготовлены тонкие пленки (ТП) CdS и сверхрешетки (СР) CdS/ZnS, CdS/CdSe. Исследована зависимость экситонной фотолюминисценции (ФЛ) от толщины пленки, а также изучена роль внутренних напряжений. Изучено влияние интенсивности возбужения на спектры ФЛ СР, проявляющееся в смещении максимума излучения в коротковолновую сторону при ее увеличении.
- В.Б. Алесковский. Стехиометрия и синтез твердых соединений. Наука, Л. (1976)
- T. Suntola. Atomic layer epitaxy, MSR. North-Holland, Amsterdam (1989). V. 4. N 7
- В.К. Адамчук, В.Б. Алесковский, В.Е. Дрозд, В.И. Губайдуллин, А.В. Федоров, А.И. Романычев. ДАН СССР 303, 6, 1390 (1988)
- В.Б. Алесковский, В.Е. Дрозд, В.И. Губайдуллин, А.И. Романычев. ДАН СССР 291, 1, 136 (1986)
- A.D. Yoffe. Adv. Phys. 42, 173 (1993)
- T. Koda, D.W. Langer. Phys. Rev. Lett. 20, 50 (1968); Proc. IX Conf. Phys. Semicond., M. (1968). P. 242
- G. Brunthaler, M. Lang, A. Forstner et al. J. Cryst. Growth 138, 559 (1994)
- I.V. Bradley, G.P. Cresy, K.P. O'Donnell. J. Cryst. Growth 159, 551 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук