Аномальное поведение экситонов на легких дырках в напряженных гетероструктурах (In, Ga)As/GaAs
Муманис Х.1, Сейсян Р.П.1, Сасин М.Э.1, Гиббс Х.М.2, Кавокин А.В.1, Кохановский С.И.1, Хитрова Г.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Оптический Научный Центр, Университет Аризоны, Таксон, США
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.
Дополнительная локализация дырок за счет кулоновского притяжения к электрону, находящемуся в квантовой яме, оказывается существенной для экситонов с легкой дыркой в гетероструктуре (In, Ga)As/GaAs. Детально изучается тонкая структура оптических и магнитооптических спектров этих КЯ с учетом образования "кулоновской ямы" и деформаций.
- R.P. Seisyan, A.V. Kavokin, S.I. Kokhanovskii, A.I. Nesvizhskii, M.E. Sasin, M.A. Sinitsin, B.S. Yavich. Semicond. Sci.\&Technol. 10, 611 (1995)
- А.В. Кавокин, С.И. Кохановский, А.И. Несвижский, М.Е. Сасин, Р.П. Сейсян, А.П. Егоров, А.В. Жуков, В.М. Устинов. ФТП, 31, 1109 (1997)
- Ал.Л. Эфрос. ФТП, 20, 128 (1986).
- G.N. Aliev, N.V. Luk'yanova, R.P. Seisyan, M.R. Vladimirova, V.N. Bessolov, H. Gibbs, G. Khitrova. Compound Semicond. 155, 169 (1996)
- A.V. Kavokin, M.A. Kaliteevskii, S.V. Goupalov, J.D. Berger, O. Lyngnes, H.M. Gibbs, G. Khitrova, A. Ribayrol, A. Bellabchara, P. Lefebvre, D. Coquillat, J.P. Lascaray. Phys. Rev. B54, R11078 (1996).
- Г.Н. Алиев, Н.В. Лукьянова, Р.П. Сейсян. ФТТ 38, 4, 1067 (1996)
- А.В. Кавокин, А.И. Несвижский, Р.П. Сейсян. ФТП 27, 977 (1993)
- S.I. Kokhanovskii, K. Moumanis, M.E. Sasin, R.P. Seisyan. Nanostructures Physics and Technology (1997). P. 69
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
