Вышедшие номера
Аномальное поведение экситонов на легких дырках в напряженных гетероструктурах (In, Ga)As/GaAs
Муманис Х.1, Сейсян Р.П.1, Сасин М.Э.1, Гиббс Х.М.2, Кавокин А.В.1, Кохановский С.И.1, Хитрова Г.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Оптический Научный Центр, Университет Аризоны, Таксон, США
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.

Дополнительная локализация дырок за счет кулоновского притяжения к электрону, находящемуся в квантовой яме, оказывается существенной для экситонов с легкой дыркой в гетероструктуре (In, Ga)As/GaAs. Детально изучается тонкая структура оптических и магнитооптических спектров этих КЯ с учетом образования "кулоновской ямы" и деформаций.
  1. R.P. Seisyan, A.V. Kavokin, S.I. Kokhanovskii, A.I. Nesvizhskii, M.E. Sasin, M.A. Sinitsin, B.S. Yavich. Semicond. Sci.\&Technol. 10, 611 (1995)
  2. А.В. Кавокин, С.И. Кохановский, А.И. Несвижский, М.Е. Сасин, Р.П. Сейсян, А.П. Егоров, А.В. Жуков, В.М. Устинов. ФТП, 31, 1109 (1997)
  3. Ал.Л. Эфрос. ФТП, 20, 128 (1986).
  4. G.N. Aliev, N.V. Luk'yanova, R.P. Seisyan, M.R. Vladimirova, V.N. Bessolov, H. Gibbs, G. Khitrova. Compound Semicond. 155, 169 (1996)
  5. A.V. Kavokin, M.A. Kaliteevskii, S.V. Goupalov, J.D. Berger, O. Lyngnes, H.M. Gibbs, G. Khitrova, A. Ribayrol, A. Bellabchara, P. Lefebvre, D. Coquillat, J.P. Lascaray. Phys. Rev. B54, R11078 (1996).
  6. Г.Н. Алиев, Н.В. Лукьянова, Р.П. Сейсян. ФТТ 38, 4, 1067 (1996)
  7. А.В. Кавокин, А.И. Несвижский, Р.П. Сейсян. ФТП 27, 977 (1993)
  8. S.I. Kokhanovskii, K. Moumanis, M.E. Sasin, R.P. Seisyan. Nanostructures Physics and Technology (1997). P. 69

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.