Вышедшие номера
Хаотическое поведение кристаллов триглицинсульфата с радиационными дефектами
Щекотов А.Ю.1, Дрождин С.Н.1
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 14 октября 1997 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.

Температурно-амплитудная область существования хаотических колебаний в резонансном контуре с кристаллом триглицинсульфата смещается в сторону больших амплитуд переполяризующего поля при облучении кристалла малыми дозами рентгеновского излучения. Это связано с изменением кинетики доменной структуры кристалла в сильном электрическом поле в присутствии радиационных дефектов.