Характер поведения электрического поля, создаваемого заряженной примесью в ионном кристалле, изучен на основе как кластерного, так и аналитического подходов. В кластерном подходе принято во внимание около 30 000 ионов, окружающих примесь. Эти ионы описаны в модели поляризуемых узлов. Прямой расчет показал, что асимптотика электрического поля заряженной примеси в узлах решетки может сильно отличаться от той, которая дается формулой Кулона, записанной для однородно поляризуемой среды. Подробно изучено поведение электрического поля на промежуточных расстояниях, там, где еще нельзя использовать асимптотическое поведение. Получено, что электрическое поле значительно увеличено по сравнению с кулоновским в области вблизи дефекта. Причем размер этой (сильно поляризованной) области увеличивается с ростом диэлектрической константы. Эти данные находятся в качественном соответствии с результатами, полученными Вихниным и др., и объясняют недавние эксперименты по исследованию поляризации в восстановленных виртуальных сегнетоэлектриках.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.