Вышедшие номера
Расчет тензора диэлектрической проницаемости в поверхностном слое кубического кристалла
Латынин С.Н.1
1Донбасская национальная академия строительства и архитектуры, Макеевка, Украина
Поступила в редакцию: 30 сентября 1997 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.

В методике действующего поля учтена пространственная неоднородность в поверхностном слое кристалла при расчете тензора диэлектрической проницаемости. Показана естественная оптическая активность кубических кристаллов в слое порядка нескольких постоянных решетки.