Вышедшие номера
Влияние анизотропии на дисперсию поверхностных плазмон-фононных поляритонов карбида кремния
Мельничук А.В.1, Пасечник Ю.А.2
1Институт физики полупроводников Академии наук Украины, Киев, Украина
2Национальный педагогический университет, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 12 сентября 1997 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.

Исследованы поверхностные плазмон-фононные поляритоны (ППФП) типов 3 и 4 в легированных анизотропных монокристаллах SiC 6H при K normal C, xy normal C. Показано, что при увеличении частоты плазмонов nup normal <= 350 cm-1 в SiC 6H проявляется ограниченная по K дисперсионная зависимость ППФП типа 3. При nup normal <= 400 cm-1 существует nus(K) ППФП типа 4 в интервале частот Omega||+<nu<nu normal +. При увеличении концентрации свободных носителей заряда дисперсионные зависимости смещаются в высокочастотную область. Определены условия существования ППФП-3 и 4 в SiC 6H.
  1. В.В. Брыксин, Д.Н. Мирлин, Ю.А. Фирсов. УФН 113, 1, 29 (1974)
  2. В.М. Агранович, В.А. Гинсбург. Кристаллооптика с учетом пространственной дисперсии и теория экситонов. Наука, М. (1979). 432 с
  3. В.В. Брыксин, Д.Н. Мирлин, И.И. Решина. Письма в ЖЭТФ 16, 8, 445 (1972)
  4. Поверхностные поляритоны / Под ред. В.М. Аграновича, Д.Л. Миллса. Наука, М. (1985). 526 с
  5. Л.Э. Гуревич, Р.Г. Тарханян. ФТТ 17, 7, 1944 (1975)
  6. Ю.А. Пасечник, Е.Ф. Венгер. Поверхность. Физика, химия, механика 8, 63 (1982)
  7. А.В. Мельничук, Ю.А. Пасечник. ФТТ 34, 2, 423 (1992)
  8. Ю.А. Пасечник, О.В. Снитко, А.Л. Бычков, В.Ф. Романенко. ФТТ 16, 3, 719 (1974)
  9. А.В. Мельничук, Л.Ю. Мельничук, Ю.А. Пасечник. ФТТ 36, 9, 2624 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.