Влияние анизотропии на дисперсию поверхностных плазмон-фононных поляритонов карбида кремния
Мельничук А.В.1, Пасечник Ю.А.2
1Институт физики полупроводников Академии наук Украины, Киев, Украина
2Национальный педагогический университет, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 12 сентября 1997 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.
Исследованы поверхностные плазмон-фононные поляритоны (ППФП) типов 3 и 4 в легированных анизотропных монокристаллах SiC 6H при K normal C, xy normal C. Показано, что при увеличении частоты плазмонов nup normal <= 350 cm-1 в SiC 6H проявляется ограниченная по K дисперсионная зависимость ППФП типа 3. При nup normal <= 400 cm-1 существует nus(K) ППФП типа 4 в интервале частот Omega||+<nu<nu normal +. При увеличении концентрации свободных носителей заряда дисперсионные зависимости смещаются в высокочастотную область. Определены условия существования ППФП-3 и 4 в SiC 6H.
- В.В. Брыксин, Д.Н. Мирлин, Ю.А. Фирсов. УФН 113, 1, 29 (1974)
- В.М. Агранович, В.А. Гинсбург. Кристаллооптика с учетом пространственной дисперсии и теория экситонов. Наука, М. (1979). 432 с
- В.В. Брыксин, Д.Н. Мирлин, И.И. Решина. Письма в ЖЭТФ 16, 8, 445 (1972)
- Поверхностные поляритоны / Под ред. В.М. Аграновича, Д.Л. Миллса. Наука, М. (1985). 526 с
- Л.Э. Гуревич, Р.Г. Тарханян. ФТТ 17, 7, 1944 (1975)
- Ю.А. Пасечник, Е.Ф. Венгер. Поверхность. Физика, химия, механика 8, 63 (1982)
- А.В. Мельничук, Ю.А. Пасечник. ФТТ 34, 2, 423 (1992)
- Ю.А. Пасечник, О.В. Снитко, А.Л. Бычков, В.Ф. Романенко. ФТТ 16, 3, 719 (1974)
- А.В. Мельничук, Л.Ю. Мельничук, Ю.А. Пасечник. ФТТ 36, 9, 2624 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук