Влияние режима формирования отпечатка на оценку величины фотомеханического эффекта
Герасимов А.Б.1, Чирадзе Г.Д.1, Кутивадзе Н.Г.1, Бибилашвили А.П.1, Бохочадзе З.Г.1
1Тбилисский государственный университет, Тбилиси, Грузия
Поступила в редакцию: 17 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1998 г.
Исследованы анизотропия, спектральная временная зависимость релаксации размеров отпечатков микротвердости в Si. Показано, что временная и спектральная зависимости корреллируют с концентрацией возбужденных носителей в той области (дефектная и упругодеформированная), в которой они возбуждаются, а анизотропия определяется различным видом деформации химических связей при разном положении индентора.
- Ю.С. Боярская, М.И. Вальковская. Микротвердость. Штиинца, Кишинев (1981). С. 67
- В.П. Алехин, А.П. Терновский. В кн.: Новое в области испытания на микротвердость. Наука, М. (1974). С. 29
- М.И. Вальковская, Б.М. Пушкаш, Э.Е. Марончук. Пластичность и хрупкость полупроводниковых материалов при испытаниях на микротвердость. Штиинца, Кишинев (1984). С. 100
- G.K. Kuczynski, R.H. Hochman. Phys. Rev. 108, 946 (1957)
- А.Б. Герасимов, З.В. Джибути, Г.Д. Чирадзе. Сообщ. АН Грузии 142, 1, 53 (1991)
- П.Д. Уорен, С.Г. Робертс, П.Б. Хирш. Изв. АН СССР. Сер. физ. 51, 4, 812 (1987)
- И.Г. Гвердцители, А.Б. Герасимов, З.В. Джибути, М.Г. Пхакадзе. Поверхность, 11, 132 (1985)
- A.B. Gerasimov. Proc. 4th Int. Conf. Materials Science Forum Vols. N.Y. (1990). V. 65--66. P. 47
- Вопросы радиационной технологии полупроводников / Под ред. Л.С. Смирнова. Наука, Новосибирск (1980). С. 149
- A.B. Gerasimov, G.D. Chiradze, N.G. Kutivadze. Bull. Kutaisi University, 2, 196 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук