Вышедшие номера
Переходы Мотта в сильно легированных магнитных полупроводниках
Нагаев Э.Л.1
1Институт физики высоких давлений Российской академии наук, Троицк, Московская обл., Россия
Поступила в редакцию: 4 января 1997 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1998 г.

Предложено обобщение критерия Мотта для перехода сильно легированного полупроводника из изолирующего в высокопроводящее состояние, которое применимо для магнитных полупроводников. На основе этого обобщения исследованы переходы изолятор--металл в ферромагнитном полупроводнике, происходящие при изменении температуры, и переходы изолятор--металл в антиферромагнитном полупроводнике, происходящие под действием магнитного поля. Результаты представляют самостоятельный интерес и для невырожденных полупроводников, поскольку дают температурную и полевую зависимости радиусов примесных состояний, энергий и намагниченностей неионизованных доноров или акцепторов.
  1. M. Oliver et al. Phys. Rev. Lett. 24, 1064 (1970); T. Penny et al. Phys. Rev. B5, 3669 (1972); Y. Shapira. et al. Phys. Rev. B8, 2299 (1973)
  2. Э.Л. Нагаев. УФН 166, 833 (1996)
  3. Э.Л. Нагаев. Физика магнитных полупроводников. Наука, М. (1979)
  4. Ю.П. Ирхин. ФММ 6, 214, 586 (1958)
  5. Э.Л. Нагаев. ЖЭТФ 54б, 228 (1968)
  6. A. Janase, T. Kasuya. J. Phys. Soc. Jap. 25, 1025 (1968)
  7. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1974)
  8. Э.Л. Нагаев. ЖЭТФ 90, 652 (1986); ibid 92, 569 (1987)
  9. T. Saitoh et al. Phys. Rev. B51, 13 942 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.