Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Переходы Мотта в сильно легированных магнитных полупроводниках
1Институт физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина РАН, Троицк, Москва, Россия 
Поступила в редакцию: 4 января 1997 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1998 г.
Предложено обобщение критерия Мотта для перехода сильно легированного полупроводника из изолирующего в высокопроводящее состояние, которое применимо для магнитных полупроводников. На основе этого обобщения исследованы переходы изолятор-металл в ферромагнитном полупроводнике, происходящие при изменении температуры, и переходы изолятор-металл в антиферромагнитном полупроводнике, происходящие под действием магнитного поля. Результаты представляют самостоятельный интерес и для невырожденных полупроводников, поскольку дают температурную и полевую зависимости радиусов примесных состояний, энергий и намагниченностей неионизованных доноров или акцепторов.
- M. Oliver et al. Phys. Rev. Lett. 24, 1064 (1970); T. Penny et al. Phys. Rev. B5, 3669 (1972); Y. Shapira. et al. Phys. Rev. B8, 2299 (1973)
- Э.Л. Нагаев. УФН 166, 833 (1996)
- Э.Л. Нагаев. Физика магнитных полупроводников. Наука, М. (1979)
- Ю.П. Ирхин. ФММ 6, 214, 586 (1958)
- Э.Л. Нагаев. ЖЭТФ 54б, 228 (1968)
- A. Janase, T. Kasuya. J. Phys. Soc. Jap. 25, 1025 (1968)
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1974)
- Э.Л. Нагаев. ЖЭТФ 90, 652 (1986); ibid 92, 569 (1987)
- T. Saitoh et al. Phys. Rev. B51, 13 942 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
