Вышедшие номера
Начальные стадии формирования границы раздела Sm--Si(111)
Крачино Т.В.1, Кузьмин М.В.1, Логинов М.В.1, Митцев М.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 мая 1997 г.
Выставление онлайн: 20 января 1998 г.

Методами термодесорбционной спектроскопии, модуляции атомного пучка и дифракции медленных электронов изучены начальные стадии формирования границы раздела Sm-Si(111). В широком интервале покрытий и температур исследована структура адсорбированных пленок и пленок силицида самария, а также кинетика десорбции атомов Sm. Измерена энергия активации десорбции из термически наиболее "устойчивой" субмонослойной структуры 3x2, а также энергия связи с подложкой изолированного атома самария. Для силицида определены температуры начала его разложения и энергия активации этого процесса. Показано, что формирование интерфейса Sm-Si(111) происходит по механизму, близкому к механизму Странского-Крастанова.