Вышедшие номера
Новые эффекты долговременной памяти в кристаллах LiNbO3
Педько Б.Б.1, Лебедев Э.В.1, Кислова И.Л.1, Волк Т.Р.2
1Тверской государственный университет, Тверь, Россия
2Институт кристаллографии Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 25 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 января 1998 г.

Обнаружена новая возможность записи информации путем изменения потенциального рельефа на поверхности z-срезов кристаллов LiNbO3. Исследовано влияние различного рода внешних воздействий на скорость распада оптических изображений, записанных вышеупомянутым способом, а также изучена возможность записи информации на кристаллах с примесями переходных металлов.