Вышедшие номера
Рентгенодифрактометрические исследования изменений структуры приповерхностных слоев кремния в процессе лазерной диффузии бора
Петраков А.П.1, Голубев Е.А.1
1Сыктывкарский государственный университет им. Питирима Сорокина, Сыктывкар, Россия
Поступила в редакцию: 8 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.

Методами кривых дифракционного отражения и трехкристальной рентгеновской дифрактометрии исследовано влияние лазерной диффузии бора на структуру приповерхностных слоев монокристаллов кремния. Путем варьирования параметров задачи численными методами определены профили распределения деформации и статического фактора Дебая-Валлера.
  1. В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности. Наука, М. (1990). 216 с
  2. Д. Шоу. Атомная диффузия в полупроводниках. Мир, М. (1975). 462 с
  3. Ф.Ф. Комаров, А.П. Новиков, В.С. Соловьев, С.Ю. Ширяев. Дефекты структуры в ионно-имплантированном кремнии. (1990). 318 с
  4. В.Е. Борисенко. Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве. Наука и техника. (1992). 248 с
  5. С.Г. Кияк. Изв. АН СССР 53, 3, 417 (1989)
  6. В.И. Фистуль, А.М. Павлов. ФТП 17, 5, 854 (1983)
  7. R.T. Young, J. Narayan. Appl. Phys. Lett. 33, 1, 14 (1978)
  8. А.В. Двуреченский, Г.А. Качурин, Е.В. Нидаев, Л.С. Смирнов. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. Наука, М. (1982). 208 с
  9. А.А. Завьялова, Р.М. Имамов, М.В. Ковальчук, Ю.В. Ковальчук, А.А. Ломов. Письма в ЖТФ 8, 11, 653 (1982)
  10. В.А. Бушуев, А.П. Петраков. Письма в ЖТФ 18, 8, 77 (1992)
  11. В.А. Бушуев, А.П. Петраков. ФТТ 35, 2, 355 (1993)
  12. А.М. Афанасьев, П.А. Александров, Р.М. Имамов. Рентгенодифракционная диагностика субмикронных слоев. Наука, М. (1989). 152 с
  13. V. Holy, J. Kubena. Czech. J. Phys. B32, 7, 750 (1982)
  14. R.N. Kyutt, P.V. Petrashen, L.M. Sorokin. Phys. Stat. Sol (a) 60, 2, 381 (1980)
  15. V.G. Kohn, M.V. Kovalchuk, R.M. Imamov, E.E. Lobanovich. Phys. Stat. Sol. (a) 64, 2, 435 (1981)
  16. В.А. Бушуев, А.П. Петраков. Кристаллография 40, 6, 1043 (1995)
  17. В.А. Бушуев, А.П. Петраков. Кристаллография 40, 6, 1050 (1995)
  18. М.А. Андреева, С.Ф. Борисова, С.А. Степанов. Поверхность, 4, 5 (1985)
  19. В.А. Бушуев. ФТТ 31, 11, 70 (1989)
  20. А.П. Петраков, В.А. Бушуев. Письма в ЖТФ 19, 19, 92 (1993)
  21. В.А. Бушуев, А.П. Петраков. Поверхность, 9, 64 (1992)
  22. W.R. Runyan. Silikon Semiconductor Technologe. McGraw-Hill, N.Y. (1965). P. 344
  23. M. Servidori, A. Zani, G. Garulli. Phys. Stat. Sol. (a) 70, 2, 691 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.