Вышедшие номера
Диэлектрические и фотоэлектрические свойства кристаллов Pb(Mg1/3Ta2/3)O3
Боков А.А.1, Раевский И.П.1, Малицкая М.А.1, Емельянов С.М.1
1Научно-исследовательский институт физики, Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия
Поступила в редакцию: 22 мая 1997 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.

Исследованы температурная зависимость диэлектрической проницаемости varepsilon и спектральная зависимость фотопроводимости кристаллов Pb(Mg1/3Ta2/3)O3. Определена ширина запрещенной зоны (3.4 eV). Установлено, что выше температуры максимума varepsilon величина 1/varepsilon изменяется с температурой вначале по квадратичному, а затем по линейному закону, что характерно для сегнетоэлектриков с размытым фазовым переходом. Оцененная по экспериментальным данным величина параметра размытия перехода близка к рассчитанной теоретически в предположении отсутствия дальнего порядка в расположении ионов Mg и Ta.