Резонансы выхода атомов цезия при электронно-стимулированной десорбции с вольфрама, покрытого монослоем германия
Агеев В.Н.1, Кузнецов Ю.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: kuznets@ms.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 12 мая 2005 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.
Измерены выход и энергораспределения атомов Cs из слоев цезия, адсорбированных на вольфраме, покрытом тонкой пленкой германия (толщиной 1-2 монослоя), в зависимости от энергии бомбардирующих электронов, количества адсорбированного цезия и температуры подложки. Измерения выполнены времяпролетным методом с помощью детектора на основе поверхностной ионизации. В области малых покрытий цезия Theta<0.1 порог появления выхода атомов Cs при температуре подложки T=160 K составляет ~24 eV, что коррелирует с энергией ионизации уровня Cs 5s. С ростом энергии электронов выход проходит через широкое плато и достигает насышения. Интенсивность сигнала в области плато постепенно уменьшается с ростом покрытия цезия и при Theta>0.14 стремится к нулю. При Theta>=q 0.15 порог появления выхода атомов Cs смещается к ~30 eV, что соответствует энергии ионизации уровня Ge 3d, а плато заменяется резонансным пиком с максимумом при ~38 eV, который соответствует энергии ионизации уровня W 5p3/2. Этот пик наблюдается только при Theta<0.3 и T=160 K. При Theta>=q0.3 появляется резонансный пик при ~ 50 eV, а при Theta>=q 0.5 - резонансный пик при ~ 80 eV. Положение этих пиков коррелирует с энергиями ионизации уровней W 5p1/2 и W 5s, а их интенсивность максимальна при Theta=1. Энергораспределения атомов Cs при Theta<0.15 состоят из колоколообразного пика с максимумом при ~0.55 eV, а энергораспределения при Theta>=q0.15 содержат два почти разрешенных пика: широкий с максимумом при ~0.5 eV и узкий с максимумом при ~0.35 eV. Полученные результаты свидетельствуют, что существуют три канала десорбции атомов Cs. Один канал связан с реверсивным движением иона Cs+2, другой - с нейтрализацией адсорбированного иона Cs+ после Оже-распада вакансии в атоме Ge, третий - с десорбцией молекулы CsGe в результате ее отталкивания от остовного экситона W. Авторы признательны Российскому фонду фундаментальных исследований за частичную поддержку работы (грант N 03-02-17523). PACS: 68.43.Rs, 68.47.De, 79.20.La
- V.N. Ageev. Progr. Surf. Sci. 47, 55 (1994)
- T.E. Madey. Surf. Sci. 299/300, 824 (1994)
- R.D. Ramsier, J.T. Yates. Surf. Sci. Rep. 12, 247 (1991)
- В.Н. Агеев, Ю.А. Кузнецов. ФТТ 39, 4, 758 (1997)
- V.N. Ageev, Yu.A. Kuznetsov. Phys. Low-Dim. Structr. 1/2, 113 (1999)
- В.Н. Агеев, Ю.А. Кузнецов. ФТТ 42, 4, 759 (2000)
- V.N. Ageev, Yu.A. Kuznetsov, T.E. Madey. J. Vac. Sci. Technol. A 19, 1489 (2001)
- V.N. Ageev, Yu.A. Kuznetsov, T.E. Madey. Surf. Sci. 528, 47 (2003)
- В.Н. Агеев, Ю.А. Кузнецов, Н.Д. Потехина. ФТТ 47, 9, 173 (2005)
- В.Н. Агеев, О.П. Бурмистрова, Ю.А. Кузнецов. ФТТ 29, 6, 1740 (1987)
- Анализ поверхности методами Оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / Под ред. Ю. Бриггса, М.П. Сиха. Мир, М. (1987). С. 567
- K. Okuno, J. Horio. Jap. J. Appl. Phys. 43, 7A, 4316 (2004)
- R.E. Weber, W.T. Peria. Surf. Sci. 14, 13 (1969)
- L. Surnev, M. Tichov. Surf. Sci. 85, 413 (1979)
- D.S. Lin, T. Miller, T.C. Chiang. Phys. Rev. B 44, 19, 10 719 (1991)
- R. Souda, W. Hayami, Y. Ishizawa. Phys. Rev. B 48, 23, 17 255 (1993)
- G. Faraci, A.R. Pennisi. Surf. Sci. 409, 46 (1998)
- М. Хансен, К. Андерко. Структура двойных сплавов. Металлургия, М. (1962). С. 816
- A. Mikami. Jap. J. Appl. Phys. 43, 5A, 2745 (2004)
- Д. Вудраф, Т. Делчар. Современные методы исследования поверхности. Мир, М. (1989). С. 182
- A.G. Borisov, J.P. Gauyacq. Surf. Sci. 445, 430 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.