Издателям
Вышедшие номера
Генерация дислокаций в варизонных гетеросистемах CdTe/CdHgTe на начальных стадиях эпитаксиального роста
Власенко А.И.1, Власенко З.К.1, Курило И.В.2, Рудый И.А.2
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
Email: zvlas@isp.kiev.ua
Поступила в редакцию: 24 февраля 2005 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.

На основе сопоставления данных микроскопических исследований, исследований состава и микротвердости показано, что в эпитаксиальных варизонных гетеросистемах CdTe/CdHdTe существует развитая система массивов дислокаций различного происхождения (прорастающих, несоответствия, на границах сращивания трехмерных островков и др.) с наклонными и параллельными границе раздела сегментами. Обнаружено неравномерное по толщине гетеросистемы увеличение микротвердости, коррелирующее в эпитаксиальном слое с распределением плотности дислокаций. PACS: 61.72.Ff, 62.20.Qp
  1. Физика соединений A-=SUB=-2-=/SUB=-B-=SUB=-6-=/SUB=- / Под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкмана. Наука, М. (1986). 320 с
  2. I.V. Kurilo, I.O. Rudyj, O.I. Vlasenko. J. Cryst. Growth 204, 4, 447 (1999)
  3. O.I. Vlasenko, V.N. Babentsov, Z.K. Vlasenko, V.V. Kremenitskiy, A.V. Ponedilok, I.A. Rudoy. Proc. Int. Conf. on Optical Diagnostics of Materials and Devices for Opto-, Micro-, and Quantum Electronics (OPTDIM'97). Kiev, Ukraine. SPIE 3359, 449 (1997)
  4. М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Структурные дефекы в эпитаксиальных слоях полупроводников. Металлургия, М. (1985). 160 с
  5. И.П. Калинкин, В.Б. Алесковский, А.В. Симашкевич. Эпитаксиальные пленки соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=-. Изд-во ЛГУ, Л. (1978). 310 с
  6. И.А. Рудый, И.В. Курило, И.С. Вирт, А.И. Власенко, М.С. Фружинский. Тез. докл. IX Нац. конф. по росту кристаллов (НКРК=2000). М. (2000). С. 252
  7. O.N. Tufte, E.L. Stelzer, J. Appl. Phys. 40, 11, 4559 (1969)
  8. И.В. Курило, И.А. Рудый, А.И. Власенко. УФЖ 43, 2, 207 (1998).
  9. Е.Ф. Венгер, М. Грендел, В. Данишка, Р.В. Конакова, И.В. Прокопенко, Ю.А. Тхорик, Л.С. Хазан. Структурная релаксация в полупроводниковых кристаллах и приборных структурах. Феникс, Киев (1994). 248 с
  10. R.K. Sharma, B.B. Sharma. Ind. J. Phys. A 70, 4, 350 (1987)
  11. Ю.А. Тхорик, Л.С. Хазан. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. Наук. думка, Киев (1983). 304 с
  12. А.И. Власенко, З.К. Власенко, И.В. Курило, И.Е. Лопатинский, И.А. Рудый, А.В. Ляшенко. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника 39, 51 (2004)
  13. Л.Н. Александров. Кинетика кристаллизации и перекристаллизации полупроводниковых пленок. Наука, Новосибирск (1985). 224 с
  14. С.С. Горелик, М.Я. Дашевский. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. Металлургия, М. (1988). 576 с
  15. Р.А. Павлов, И.И. Лакуста, К.М. Поливанова. Физическая электроника. Вища шк., Львов (1992). В. 42. 77 с
  16. R.N. Andrews, S.D. Walck, M.W. Price, F.R. Szofran, C.-H. Su, S.L. Lehoczky. J. Cryst. Growth 99, 1--2, 717 (1990)
  17. M. Schenk, A. Fissel. J. Cryst. Growth 86, 1--4, 502 (1988)
  18. S. Cole, M. Brown, A.F.W. Willoughby. J. Mater. Sci. 17, 7, 2061 (1982)
  19. И.В. Курило, И.М. Спитковский, А.Д. Шнейдер. Изв. вузов. Физика 9, 130 (1974)
  20. И.В. Курило, В.П. Алехин, С.И. Булычев. Физико-механические свойства теллуридов кадмия, ртути и их твердых растворов. Препринт. Ин-т металлургии им. А.А. Байкова АН СССР, М. (1982). 92 с
  21. Е.А. Балагурова, Э.Н. Хабаров. Изв. вузов 7, 133 (1976)
  22. А.И. Власенко, З.К. Власенко. ФТП 33, 3, 277 (1999)
  23. А.И. Власенко, З.К. Власенко, С.В. Свечников, Д.Т. Таращенко. УФЖ 47, 7, 664 (2002).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.