Издателям
Вышедшие номера
Эффект больших доз в рентгеновских эмиссионных спектрах кремния, имплантированного ионами железа
Зацепин Д.А.1, Яненкова Е.С.1, Курмаев Э.З.1, Черкашенко В.М.1, Шамин С.Н.1, Чолах С.О.2
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2Уральский государственный технический университет, Екатеринбург, Россия
Email: d_zatsepin@ifmlrs.uran.ru
Поступила в редакцию: 26 апреля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

Методом рентгеновской эмиссионной Si L2,3 (электронный переход 3d3s->2p) спектроскопии исследованы образцы кремния p- и n-типа, имплантированные ионами Fe+ в импульсном режиме (энергия имплантации 30 keV, ток в импульсе до 0.5 A, длительность импульса 400 mus, дозы облучения от 1014 до 1017 cm-2). Установлена зависимость рентгеновских эмиссионных спектров как от доз ионного облучения, так и от ускоряющего напряжения электронного пучка, используемого при рентгеновских измерениях. Анализ Si L-спектров посредством сравнения со спектрами эталонов и их моделирование показали, что с увеличением дозы облучения имеет место разупорядочение структуры, частичная аморфизация образца от поверхности в объем вплоть до глубины ~ 7200 Angstrem и его последующая рекристаллизация (эффект больших доз). Показано, что обнаруженный эффект наиболее сильно выражен в слоях на глубине ~ 1000 Angstrem, не связан с формированием в объеме образцов силицида железа FeSi, и, вероятнее всего, обусловлен нарушениями связей Si--Si в процессе ионной имплантации при использванных дозах облучения. Работа выполнена при поддержке проектов Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 05-02-16438 и 05-02-16448), гранта Минобразования --- CRDF: Annex BF4M05, EK-005-X2 [REC-005], BRHE 2004 post-doctoral fellowship award Y2-EP-05-11, а также Совета по грантам Президента РФ для ведущих научных школ (грант НШ-1026.2003.2). PACS: 61.10.Ht, 61.72.Tt
  • Л. Росадо. Физическая электроника и микроэлектроника / Под ред. В.А. Терехова. Высш. шк., М. (1991). 233 с
  • В.Н. Черняев. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров. Радио и связь, М. (1987). 164 с
  • А. Майзель, Г. Леонхард, Р. Сарган. Рентгеновские спектры и химическая связь. Наук. думка, Киев (1981). 419 с
  • D.A. Zatsepin, V.R. Galakhov, B.A. Gizhevskii, E.Z. Kurmaev, V.V. Fedorenko, A.A. Samokhvalov, S.V. Naumov. Phys. Rev. B 59, 211 (1999)
  • Б.А. Гижевский, В.Р. Галахов, Д.А. Зацепин, Л.В. Елохина, Т.А. Белых, Е.А. Козлов, С.В. Наумов, В.Л. Арбузов, К.В. Шальнов, М. Нойманн. ФТТ 44, 7, 1318 (2002)
  • Д.А. Зацепин, В.М. Черкашенко, Э.З. Курмаев, С.Н. Шамин, В.В. Федоренко, Н.А. Скориков, С.В. Пластинин, Н.В. Гаврилов, А.И. Медведев, С.О. Чолах. ФТТ 46, 2064 (2004)
  • E.Z. Kurmaev, V.V. Fedorenko, S.N. Shamin, A.V. Postnikov, G. Wiech, Y. Kim. Phys. Scr. 41, 288 (1992)
  • E.Z. Kurmaev, V.R. Galakhov, S.N. Shamin. Critical Rev. Sol. State Mater. Sci. 23, 65 (1998)
  • Д.И. Тетельбаум, А.И. Герасимов. ФТП 38, 1301 (2004)
  • Н.И. Грасименко, А.В. Двуреченский, С.И. Романов, Л.С. Смирнов. ФТП 6, 10 (1972)
  • Н.И. Грасименко, А.В. Двуреченский, С.И. Романов, Л.С. Смирнов. ФТП 7, 11 (1973)
  • V.R. Galakhov, E.Z. Kurmaev, S.N. Shamin, L.V. Elokhina, Yu.M. Yarmosheko, A.A. Bukharev. Appl. Surface Sci. 72, 73 (1993)
  • В.И. Веденеев, Л.В. Гуревич, В.Н. Кондратьев, В.А. Медведев, Е.Л. Франкевич. Энергии разрыва химических связей. Потенциалы ионизации и сродство к электрону. Изд-во АН СССР, М. (1962). 215 с
  • A.I. Titov, B.S. Belyakov, P. Cardwell, G. Farrel. Rad. Eff. 139, 189 (1996)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.