Вышедшие номера
Кинетика формирования дискретных наноструктур в процессе вакуумной конденсации из однокомпонентного пара
Иевлев В.М.1, Шведов Е.В.1
1Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
Email: karl12@yandex.ru
Поступила в редакцию: 5 апреля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2005 г.

Методом численного решения системы кинетических уравнений исследуется кинетика кластерообразования в процессе вакуумной конденсации тонких пленок. Получены графики распределения по размерам кластеров от единиц до нескольких сотен атомов. В координатах температура-скорость конденсации определены области преимущественного зарождения на активных центрах - точечных дефектах кристаллической подложки - и статистического зарождения и показана возможность разделения областей псевдослоевого и трехмерного (шероховатого) роста. Показано, что причиной экспериментально наблюдаемой двухмодальности распределения островков по размерам может быть различие в скоростях роста кластеров на стадии, предшествующей коалесценции. Работа поддержана грантом Министерства образования и науки РФ "Ведущие научно-педагогические коллективы". PACS: 68.03.Fg, 68.03.Hj
  1. G. Zinsmeister. Jap. J. Appl. Phys. 2, 1, 545 (1974)
  2. Г.Дж. Цинсмайстер. В кн.: Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Наука, Новосибирск (1975). Ч. 1. С. 11
  3. J.A. Venables. Phil. Mag. 27, 697 (1973)
  4. J.A. Venables. Phys. Rev. B 36, 4153 (1987)
  5. M.C. Bartelt, M.C. Tringides, J.W. Evans. Phys. Rev. B 47, 13 891 (1993)
  6. G.S. Bales, D.C. Chrzan. Phys. Rev. B 50, 6057 (1994)
  7. M.C. Bartelt, S. Gunther, E. Kopatzki, R.J. Behm. Phys. Rev. B 53, 4099 (1996)
  8. M.C. Bartelt, C.R. Stoldt, C.J. Jenks, P.A. Thiel, J.W. Evans. Phys. Rev. B 59, 3125 (1999)
  9. Е.В. Шведов, Д.Е. Андрусевич. Вестн. ВГТУ. Материаловедение 1.3, 93 (1998)
  10. V.M. Ievlev, E.V. Shvedov, D.E. Andrusevitch. Phys. Low-Dim. Struct. 11/12, 107 (1999)
  11. В.М. Иевлев, Д.В. Москалев, Е.В. Шведов. Вестн. ВГТУ. Материаловедение 1.13, 65 (2002)
  12. А.А. Сокол, В.М. Косевич. Кристаллография 14, 527 (1969)
  13. В.И. Трофимов, А.Е. Чалых, Э.И. Евко. ФТТ 13, 334 (1971)
  14. В.М. Косевич, Л.С. Палатник, А.А. Сокол, П.П. Архипов. ДАН СССР 180, 3, 586 (1968)
  15. R. Ueda, T. Inuzuka. Cryst. Growth 6, 79 (1971)
  16. В.С. Постников, В.М. Иевлев, В.А. Аммер, Е.В. Шведов. В сб.: Ядерно-радиационная физика и технология. Тула (1976). С. 69
  17. В.М. Иевлев, Е.В. Шведов, Д.Е. Андрусевич. В сб.: Тонкие пленки в оптике и электронике. Харьков (2002). Ч. 1. С. 23
  18. В.И. Трофимов, В.А. Осадченко. Рост и морфология тонких пленок. Энергоатомиздат. М. (1993)
  19. В.И. Трофимов. В сб.: Активная поверхность твердых тел. М. (1976). С. 196
  20. A. Menck, H. Brune, J.V. Barth, J.A. Venables, K. Kern. Phys. Rev. B 61, 1105 (2000)
  21. A.J. Donohoe, J.L. Robins. Cryst. Growth 17, 70 (1972)
  22. J.L. Robins, A.J. Donohoe. Thin Solid Films 12, 255 (1972)
  23. H. Schmeisser, H. Harsdorff. Z. Naturforsch. 25a, 1896 (1970)
  24. W.L. Morris, R.L. Hines. Appl. Phys. 41, 2231 (1970)
  25. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН 168, 10, 1083 (1998)
  26. В.М. Иевлев, Е.В. Шведов. ФТТ 20, 3, 809 (1978)
  27. Е.В. Шведов. Вестн. ВГТУ. Материаловедение 1.1, 158 (1996)
  28. Е.В. Шведов, В.В. Нечаев. Изв. РАН. Сер. физ. 61, 5, 959 (1997)
  29. J.G. Skofronick, W.B. Phillips. Appl. Phys. 38, 12, 4791 (1967)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.