Вышедшие номера
Влияние <<замороженных>> ростовых дефектов на температурную зависимость диэлектрической проницаемости и поляризацию кристаллов (NH4)2BeF4
Струков Б.А.1, Рагула Е.П.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Москва, Россия
Поступила в редакцию: 18 ноября 1996 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1997 г.

Приведены результаты экспериментального исследования диэлектрических свойств кристаллов (NH4)2BeF4 с выраженной дефектной структурой в области фазового перехода соразмерная-несоразмерная фаза. Было обнаружено нерегулярное распределение дефектов, формирующих внутреннее смещающее поле в кристалле. Подтверждено, что замороженные дефекты не влияют на величину гистерезиса зависимостей varepsilon(T) при охлаждении и нагревании, однако оказывают определяющее влияние на формирование одинарных, тройных и четверных петель гистерезиса в зависимости P(E). Предложен возможный механизм расщепления фазового перехода при охлаждении кристалла в постоянном электрическом поле.
  1. S. Hoshino, K. Vedam, Y. Okaya, R. Pepinsky. Phys. Rev. 112, 2, 405 (1958)
  2. Б.А. Струков, Н.Д. Гаврилова, В.А. Копцик. Кристаллография 6, 5, 780 (1960)
  3. Б.А. Струков, Т.Л. Скоморохова, В.А. Копцик, А.А. Бойко, А.Н. Израиленко. Кристаллография 18, 1, 143 (1973)
  4. Б.А. Струков, В.М. Арутюнова, У. Уесу, С.А. Тараскин. Изв. АН СССР. Сер. физ. 47, 750 (1983)
  5. A.P. Levanyuk, A.S. Sigov. Defects and structural phase transitions. Cordon and Breach Science Publishers (1988). 208 p

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.