Вышедшие номера
Электронная структура и строение метастабильных центров в полупроводниковых кристаллах CdF2 : Ga, CdF2 : In
Щеулин А.С.1, Онопко Д.Е.1, Рыскин А.И.1
1Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 6 мая 1997 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1997 г.

Исследованы оптические свойства широкозонных, преимущественно ионных кристаллов фторида кадмия при фото- и термопревращениях метастабильных центров индия и галлия. На основе анализа этих свойств сделан вывод о наличии у галлия двух метастабильных состояний (двух типов глубоких центров). Для обеих примесей определены энергии связи глубоких центров и величины барьеров, разделяющих мелкие (водородоподобные) и глубокие центры. Построены модели конфигурационных координат и предложены микроскопические модели глубоких центров. Сделан вывод об идентичности этих центров метастабильным DX-центрам в типичных полупроводниковых кристаллах. Таким образом, фторид кадмия - наиболее ионный кристалл, в котором до настоящего времени были найдены DX-центры. Обсуждаются перспективы использования подобных кристаллов для оптической записи информации.