Исследована медленная релаксация поляризации сегнетоэлектрика в слабом электрическом поле на примере кристаллов триглицинсульфата с различным состоянием доменной структуры и поверхности. Приводится описание установки, позволяющей регистрировать релаксацию в автоматическом режиме с рекордной точностью. Показано, что при условии малого изменения "степени метастабильности" структуры, изменение Delta P поляризации со временем t во всех случаях следует закону Delta P=C/(1+t/a)ⁿ, где параметры C, a, n зависят от состояния структуры и поверхности. В предположении независимости зародышей и их аддитивного вклада в общую поляризацию кристалла проведен феноменологический анализ экспериментальных данных и построены спектры распределения энергетических барьеров для доменных стенок. Выявлены особенности трансформации спектров при изменении характера доменной структуры, глубины рельефа поверхности и величины внешнего электрического поля.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.