Вышедшие номера
Влияние донор-донорного взаимодействия на переход металл--изолятор в легированных полупроводниках
Михеев В.М.1
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 2 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1997 г.

Рассмотрен моттовский переход металл-изолятор (МИ) в слабо компенсированных полупроводниках с простым законом дисперсии (типа InSb). Проведено микроскопическое описание перехода МИ в условиях, когда в окрестности перехода примесная зона перекрыта с зоной проводимости, а уровень Ферми расположен в зоне проводимости. Из условия минимума внутренней энергии системы электронов и доноров показано, что учет донор-донорного взаимодействия приводит к стабилизации промежуточного состояния, в котором доноры ионизованы частично. Показано, что в некотором интервале концентраций доноров, близки к критическому значению, магнитное поле, подавляя ван-дер-ваальсовские взаимодействия нейтральных доноров, индуцирует переход из диэлектрической фазы в металлическую. Проводится параллель с аналогичными эффектами в сильно компенсированных полупроводниках (переход Андерсона), связанными с эффектами слабой локализации.