Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние донор-донорного взаимодействия на переход металл--изолятор в легированных полупроводниках
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия 
Поступила в редакцию: 2 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1997 г.
Рассмотрен моттовский переход металл-изолятор (МИ) в слабо компенсированных полупроводниках с простым законом дисперсии (типа InSb). Проведено микроскопическое описание перехода МИ в условиях, когда в окрестности перехода примесная зона перекрыта с зоной проводимости, а уровень Ферми расположен в зоне проводимости. Из условия минимума внутренней энергии системы электронов и доноров показано, что учет донор-донорного взаимодействия приводит к стабилизации промежуточного состояния, в котором доноры ионизованы частично. Показано, что в некотором интервале концентраций доноров, близки к критическому значению, магнитное поле, подавляя ван-дер-ваальсовские взаимодействия нейтральных доноров, индуцирует переход из диэлектрической фазы в металлическую. Проводится параллель с аналогичными эффектами в сильно компенсированных полупроводниках (переход Андерсона), связанными с эффектами слабой локализации.
- Н.Ф. Мотт. Переходы металл--изолятор. Наука, М. (1979)
- J. Hubbard. Proc. Roy. Soc. Lond. Ser. A 281, 401 (1964)
- J. Spalek, W. Wojcik. Phys. Rev. B 45, 3799 (1992)
- G.A. Thomas, Y. Ootuka, S. Kobayashi, W. Sasaki. Phys. Rev. B24, 4886 (1981); G. Biskupski, H. Dubois, J.L. Wojkievicz, A. Briggs. J. Phys. C: Sol. Stat. Phys. 17, L411 (1984); Г.А. Матвеев, Ф.Т. Лончаков. ФТП 18, 4, 589 (1984); V.G.I. Deshmukh, D.P. Tunstall. J. de Phys. Colloq. C-4, 37, 329 (1976); M. Nakamura, W. Sasaki. J. Phys. Soc. Jap. 19, 236 (1964)
- Т. Райс, Дж. Хенсел, Т. Филлипс, Г. Томас. Электронно-дырочная жидкость в полупроводниках. Мир, М. (1980)
- Д.Н. Бычковский, О.В. Константинов, Б.В. Царенков. ФТП 29, 1, 152 (1995)
- P. Washishta, K.S. Singwi. Phys. Rev. B6, 875 (1972)
- В.М. Михеев. ФТТ 35, 9, 2410 (1993); В.М. Михеев. ФТТ 36, 4, 994 (1994)
- В.М. Михеев. Вторая рос. конф. по физике полупроводников. Зеленогорск (26 февраля--1 марта 1996). Тез. докл. Т. 2. C. 100; V.M. Mikheev. Int. Conf. on Electron Lokalization and Quantum Transport in Solids. Jaszowiec, Poland (3--6 August 1996). Extend. Abstracts. 166 p
- P. Nozieres, D. Pines. Phys. Rev. 111, 442 (1959)
- Ч. Киттель. Квантовая теория твердых тел. Наука, М. (1967)
- B.N. Finkelstein, G.E. Horowitz. Zs. Phys. 48, 118, 448 (1928)
- W. Heitler, F. London. Zs. Phys. 44, 455 (1927); N. Rosen. Phys. Rev. 38, 2099 (1931)
- Дж. Слэтер. Электронная структура молекул. Мир. М. (1965)
- D.E. Khmelnitskii, A.I. Larkin. Solid State Commun. 39, 1167 (1981); B. Shapiro. Phil. Mag. B50, 241 (1984)
- Б.А. Аранзон, Н.К. Чумаков. ФТП 30, 1, 46 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
