Вышедшие номера
Диффузия спина оптически ориентированных электронов и переизлучение в арсениде галлия n-типа
Джиоев Р.И.1, Захарченя Б.П.1, Коренев В.Л.1, Степанова М.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 мая 1997 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1997 г.

Приводятся результаты экспериментального и теоретического исследования спинового транспорта в полупроводнике n-GaAs. Показано, что перенос среднего спина электронов от возбуждаемой светом поверхности кристалла определяется процессом спиновой диффузии. В то же время основным механизмом транспорта фотовозбужденных носителей является эффект переизлучения, распределяющий неравновесные носители заряда в глубь полупроводника на расстояние, значительно превышающее длину диффузии спина электронов. Сравнение результатов эксперимента с теорией позволяет определить диффузионную длину среднего спина и время спиновой реакции электронов.
  1. G.A. Prinz. Science. 250, 1092 (1990); Phys. Today 58 (1995)
  2. S.F. Alvarado. Phys. Rev. Lett. 75, 3, 513 (1995)
  3. M.W. Prins J., R. Jansen, H. van Kempen. Phys. Rev. B 53, 12, 8105 (1996)
  4. Р.И. Джиоев, Б.П. Захарченя, В.Л. Коренев. ФТТ 37, 11, 3510 (1995)
  5. Р.И. Джиоев, Б.П. Захарченя, Р.Р. Ичкитидзе, К.В. Кавокин, П.Е. Пак. ФТТ 35, 10, 2821 (1993)
  6. Оптическая ориентация. Современные проблемы науки о конденсированных средах / Под ред. Б.П. Захарчени, Ф. Майера. Наука, Л. (1989)
  7. Oldwig von Roos. J. Appl. Phys. 54, 3, 1390 (1983)
  8. М.И. Дьяконов, В.И. Перель. ФТП 10, 2, 350 (1976)
  9. Р.И. Джиоев, Б.П. Захарченя, К.В. Кавокин, П.Е. Пак. ФТТ 36, 9, 2752 (1994)
  10. M.D. Sturge. Phys. Rev. 127, 768 (1962)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.