Приводятся результаты экспериментального и теоретического исследования спинового транспорта в полупроводнике n-GaAs. Показано, что перенос среднего спина электронов от возбуждаемой светом поверхности кристалла определяется процессом спиновой диффузии. В то же время основным механизмом транспорта фотовозбужденных носителей является эффект переизлучения, распределяющий неравновесные носители заряда в глубь полупроводника на расстояние, значительно превышающее длину диффузии спина электронов. Сравнение результатов эксперимента с теорией позволяет определить диффузионную длину среднего спина и время спиновой реакции электронов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.