Вышедшие номера
Термоэдс в квазидвумерных системах при рассеянии носителей тока на фононах
Аскеров Б.М.1, Гулиев Б.И.1, Фигарова С.Р.1, Гадирова И.Р.1
1Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 1 апреля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.

Исследована термоэдс alpha в электронных системах с квазидвумерным энергетическим спектром в приближении тензора времени релаксации. Вычислены продольная и поперечная компоненты термоэдс при рассеянии носителей тока на фононах различного типа. Показано, что анизотропия термоэдс в таких системах существенна. Рассмотрена зависимость alpha от соотношения между энергией Ферми varepsilonF и полушириной одномерной зоны проводимости varepsilon0. При рассеянии на акустических и неполярных оптических фононах происходит изменение знака термоэдс: alpha становится положительной при varepsilonF<varepsilon0. Сравнение теории с имеющимися в литературе экспериментальными данными показывает хорошее количественное согласие.